GaN基蓝光半导体激光器发展.pdfVIP

维普资讯 物理学和高新技术 GaN基蓝光半导体激光器的发展 枣 陈良惠 叶晓军 种 明 (中国科学院半导体研究所 北京 100083) 摘 要 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器— —GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、 外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底 的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD) 的实用化进程． 关键词 GaN，蓝光激光器，侧向外延生长，光存储，数字多功能光盘 (DVD) Gallium mnittrriiddeebaseeddbluelaserdiooddeess CHENLiang—Hui十 YEXiao-Jun CHONGMing (InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofsc ， 呵 100083，hC n／a) Abstract ThedevelopmentofGaN bluelaserdiodes，tobeusedinthenextgenerationofopticalstorage systemsisdescribed．Th esubstrates，epitaxial technologyandprocessesinvolvedinhtemnaufactureoflaserdi— odearediscussed， 山 emphasisonthehomoepitaxialsubstrate，epitaxial lateral overgrowthnadwetetching． Th epracticalrealiaztionofGaN optical recordingsystemsisalsodescribed． Keywords GaN，bluelaserdiod e，ELOG，optical storage，DVD 1 引言 2 光存储用激光光源的发展 GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三 早期的光盘光源用的是氦氖气体激光器，由于 代半导体材料，GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成 其体积大、工作电压高和能量转换效率低等缺点，很 熟并投放市场 ，在光显示上的应用已使颜色逼真的 快被具有全面优异特性的半导体激光器所取代． 全色显示屏发出绚丽的光彩．光存储与光通信是 目 1970年，前苏联的Alfewv和美国的Hayashi等 前半导体激光器的最主要应用．对光盘而言，因为记 人成功地实现了A1GaAs／GaAs双异质结激光器的 录和再生的可能的容量与光源波长的2次方成反 室温连续激射，从此开辟 了半导体激光器实用化的 比，因而要实现光存储的高密度化，激光光源的短波 新时期．其后 ，为了提高器件性能，发展了条型半导 化是很必要的．为此 ，更宽禁带的各种半导体材料的 体激光器，使注入电流受到限制而条型区形成增益 研究以及用这些材料进行更短波长半导体激光器的 区，即激射模式稳定的增益波导结构．但这种增益波 导结构在结平行方向不具有光限制所需的折射率分 开发都取得很大的进展． 布．其后几年，人们通过努力 ，开发出在 P—N结平 在光盘 (compactdisc，CD)中用了GaA1As系红 外光半导体激光器，在数字多功能光盘 (digitalver-