金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展.pdfVIP

刘 翔等 ：金属氧化物IGZO薄膜 晶体管的最新研究进展 文章编号：1006—6268(2010)10—0028—05 金属氧化物 -GZO薄膜晶体管的 最新研究进展 刘 翔 ’，薛建设 ’，贾 勇 ’。周伟峰 ’，肖 静 ，曹 占峰 ’ (1．京东方科技集团股份有限公司TFT—LCD器件与材料技术研究所 ，北京 100176； 2．山东省泰山学院物理与电子工程学院，山东泰安 271021) 摘 要：最近几年，金属氧化物 IGZO薄膜晶体管成为研究热点，具有高迁移率、稳定性好、制作 工艺简单等优点，备受．-4q关注。文章综述 了制作金属氧化物IGZO 晶体管的结构及其优缺点， 总结了影响金属氧化物 IGZO薄膜晶体管性能的因素，并提 出了制作高性能金属氧化物 IGZO 薄膜晶体管的方法。 关键词：薄膜 晶体管；氧化铟镓锌 ；氧化物；器件结构 中图分类号：TN383．+1 文献标识码 ：B TheRecentResearchProgressofAmorphousIndium Gallium Zinc OxideThinFilm Transistors LIUXiang’，XUEJian—she’，JIAYong’，ZHOUWei—feng’，XlAO Jing2CAO Zhan—feng’。 (1．TFT_LCDDeviceMaterialTechnologyResearchCenter，BOETechnologyGroupCo．， Ltd．，TechnologyResearchInstitute，Beijing100176，China； 2．PhysicsandElectronicEngineeringCollege，TaishanUniversity，TaianShandong 271021，China) Abstract：Recently．amorphousindium gallium zincoxidethinfilm transistors(a-lnGaZnO TFT)have attracted considerable attention fortheiroutstanding merits，such as high mobility，good stability and simple fabrication process．This article reviews the device structure，advantagesanddisadvantagesofa-IGZO TFT．W ealso summarizethe impact a-IGZO TFT performance factors． In addition，the new methods of developing high performanceandstabilitya—IGZ0 TFTareproposed． Keywords：thin m transistor；IGZO；oxide；devicestructure 28 现代显示AdvancedDisplay Oct．2010，总第l17期 收稿 日期：201O-09—10 刘 翔等 ：金属氧化物 IGZO薄膜 晶体管的最新研究进展 引 言 1．1 光照的稳定性 非晶金属氧化物 IGZO在可见光照射下具有很 近年来随着液晶显示器尺寸的不断增大，驱动 好的稳定性。2008年 SID密歇根州大学报道了非晶 电路的频率不断提高，现有的非晶硅薄膜晶体管迁