单晶薄膜Nd0.75Sr1.25CoO4输运性质.pdfVIP

单晶薄膜Nd0.75Sr1.25CoO4 的输运性质1 黄胜利，阮可青，吕章明，吴会燕，林春华，曹烈兆 中国科学技术大学结构分析开放实验室，物理系，合肥 （230026 ） 摘 要：在(100)-LaAlO (LAO)和(100)-LaSrAlO 基片上外延生长了 Nd Sr CoO 单晶薄 3 4 0.75 1.25 4 膜。利用电阻率和热电势随温度的变化关系研究了薄膜 ab 面的输运性质。在整个测量温区 (70 K T 310 K) 内电阻率都呈半导体特征，热电势为正值，表明薄膜是P 型半导体。在 210 K 附近热电势值发生跃迁，这源于材料从顺磁相进入Griffiths 相载流子受自旋散射的作 用减弱。电阻率在高温区满足热激活模式，而低温区只能用二维变程跃迁模式解释。但对于 热电势只能用 Zvyagain 公式或热激活模式拟合而不能单纯用变程跃迁模式。结果显示薄膜 的热输运在整个温区内二维变程跃迁占主导位置，这可能与Sr 的掺杂引起晶格的失配有关。 巨大的功率因数(S2/ρ)表明该材料具有很大的应用前景。 关键词：热激活模式，变程跃迁模式，Zvyagain 公式，能隙 PACC: 7215C; 7280S; 7360F 1. 引言 自从高温超导体被发现以来，强关联体系的层状过度金属氧化物引起了人们极大的关 注。准二维的晶体结构大大地缩小了d 轨道的eg 电子能带，从而导致强烈的电子－电子、 电子－声子相互作用并改变电荷、自旋、轨道等的自由度。在该类氧化物中相继发现了巨磁 阻效应[1]、自旋/ 团簇玻璃态[2]、电荷/轨道有序等[3]。钴类氧化物Nd Sr CoO 是层状K NiF 2-x x 4 2 4 结构，在多晶样品中我们曾发现了很丰富的磁性质[4, 5]。随温度的降低，x = 1.25 的样品经 历了从顺磁相(T 210K)到 Griffiths 相(210K T 179K)、再到铁磁相(居里温度 Tc ＝ 179K)、最后进入自旋玻璃态(T 18K)的转变。而对于x = 2.0 [6, 7] ，多晶样品和单晶薄膜都 表明随温度的降低它直接从顺磁相过渡到铁磁相(Tc ～ 250K) 。但在输运方面上，多晶样品 和单晶薄膜却呈现很大的差异[4, 6, 7]：多晶样品的电阻率(1.25 ≤ x ≤ 2.0)和热电势(1.25 ≤ x ≤ 1.60)表明样品在室温以下呈半导体行为，在磁转变温度附近并没有奇异的特征；可对于薄 膜样品x = 2.0, 在居里温度处电阻率出现金属－绝缘体转变。热电势对于载流子周围电磁场 的变化十分敏感，同时它又不受晶界的影响[8-10]，薄膜样品的变化规律应该与多晶样品的 一样，可至今对该材料薄膜的热电势研究还没有相关的报道。而除了x = 2.0 ，至今也没有长 出其它掺杂浓度的薄膜。本文中，我们在不同基片上制备了 Nd0.75Sr1.25CoO4 单晶薄膜，通 过电阻率和热电势的测量研究材料ab 面的输运性质，同时与多晶样品的结果比较。 2. 实验方法 以脉冲激光沉积法生长Nd0.75Sr1.25CoO4 (NSCO)薄膜。除了最后的退火温度改为1250 ℃外， 靶材的制备过程与多晶样品的相同[11]。随后把靶材(圆柱状，表面平整磨光，半径～15mm， 厚度～5mm)放进真空箱中以 KrF 激光器(λ ＝ 248 nm) 溅射。外延沉积时薄膜基片为 3 (100)-LaAlO3 (LAO)和(100)-LaSrAlO4 (LSAO)单晶基片(5*5*0.5 mm ), 箱中温度保持在710 ℃， 氧气压为40 mTorr 。利用X 射线衍射检测薄膜样品的结构。如图 1 所示，除了c 方向 的衍射峰外