分子束外延法及离子束溅射法生长CdTe和HgCdTe膜比较.pdfVIP

维普资讯 1991年第 2期 红外与激光技术 一 35 ／ ／ 分子束外延法及离子束溅射法 。 ，r 生生长长CdTe和和HgCdTe膜膜的的比比较较 氏．． 主题词 分子柬外延 离子 柬溅射 一 、 营 | 疆l 对 f】 ／ | 于在 3～5#m和 8～12衄n大气窗tI1bR及在达到和超过 1 m较长波长工作 的，多光 谱高性能探测器，HghCdTe系统 的合金组成 目前是最有前途 的红外材料。 由于在所研 究的红外波长，有高的光学吸收系数，并且考虑到探测器与集成电路信息处理器交界面的 需要，在透红外村底上，生长 HgCdTe薄外延膜，有相当多的优点。HgCdTe层生长方 面的早期工作，集 中在液相外延 (LPE)技术2[1的利用上。 由于 LPE需要相当高的生长 温度 (超过 500C)，并存在有关组分控制、互扩散和薄膜的表面形貌 问题，所以，新近 激发增长了对低温汽相生长的兴趣。 理论上，如果生产和保持象异质结和超晶格那样屡结构的掺杂分布和要求的组分，则 大约 250C或更低的生长温度是最重要的条件。但是实际上，HgTe／CdTe超 晶格 最近 试验的结果说明，在低到 11O℃的温度还存在有可计量的互扩散。看来能满足这些条件的 最适当的生长技术是分子束外延 (MBE) J、激光辅助沉积 (LADA)_j1，能量辅助的有 机金属化学汽相沉积 (MOCvD) 和溅射 【。总的说来，这些技术都还处于研究和探索 阶段，虽然 已制作出初级的探测器 (甚至阵列)，但是，各种方法的垒部潜力和优缺点还 有待于论证。 通常，MBE、LADA和 MOCVD生长法在衬底表面的沉积率以及薄膜组分是受热 效应控制的，而热效应可用相当缓慢的时 间响应 (即努森仪的温度)、激光束的能量和吸 收以及烷基类物质的热解作用来表征。虽然在 MOcvD 的情况下，紫外线光解作用在控 制生长过程 中能起主要作用，但是汽相反应的热解作用仍是显著的。 同样，在衬底表面形 成所想要的化合物或固溶体需要受热控制的化学反应和扩散 (或混合)使不均匀性减到最 低的程度。溅射，特别是离子束溅射，是唯一能有效地消除热影响的技术。离子束电流和 溅射的速率，通过电子设备能瞬时调制，因此，溅射材料的沉积能精确控制。此外，在那 种生长过程 中，无需明显的热反应或互扩散就可保持化学计量 比的条件下，有可能从预制 的合金靶进行溅射淀积。 维普资讯 一 36一 红外与激光技术 1991年第 2期 本文的主要 目的是，专门参考在我们这些实验室 J和其他别处ll对外延质量、薄膜 组分和 电学特性的控制和最佳化方面的最新进展，评述 MBE生长 CdTe和 HgCdTe膜 的 现状。本文也讨论了在离子束溅射 CdTe、HgXe和 HgCdTe膜方面的最新结果l】ll”】。就 MBE和离子束溅射方法的主要方面进行 了比较，井认为离子束方法可 以有助于消除 MBE的某些局限性。 二、实验技术 (一)分子束外延生长 本研究工作 中生长的所有 InSb、CdTe和 HgCdTe层 ，都是在 VG一80H真空发生器 分子束外延装置 中制备的。InSb薄膜生长需要元素铟和锑源的蒸发。CdTe薄膜是用单个 扩散源蒸发得到。HgCdTe薄膜制备使用了汞、碲和碲化镉三个源。通过调整Cd：Te相 对比率，也即相对变动碲源的温度 (固定 CdTe流量)来控制合金的组分。衬底包括离子 清洗和 MBE