溶胶凝胶法制备掺锑二氧化锡薄膜光电特性和表面形貌.pdfVIP

溶胶凝胶法制备掺锑二氧化锡薄膜的光电特性 和表面形貌1 张道礼，邓志兵，张建兵，陈良艳，赵岚 华中科技大学电子科学与技术系(430074) E-mail：zhang_daoli@ 摘 要：以金属无机盐SnCl ·2H O和SbCl 为原料，用sol-gel法在普通的载玻片基底上制备了 2 2 3 掺Sb的SnO2透明导电薄膜。薄膜在70º Ｃ干燥，400~550º Ｃ进行热处理。使用U-3310 紫外可 见光分光光度计对其光学透光率进行测试分析，薄膜具有80~90%的可见光透光率。使用从 XRD衍射图来看锑掺杂SnO 薄膜具有和纯的SnO 薄膜一样的金红石结构，并用显微镜观察 2 2 了薄膜。分析了锑掺杂的浓度、烧结温度以及拉膜的次数对薄膜性质的影响。 关键词：锑掺杂二氧化锡薄膜，溶胶-凝胶法，透明导电薄膜，电学和光学性能 中图分类号：TK511 ＋.4 1．引言 纯SnO 为一禁带宽度达 3.8eV的绝缘体，当产生氧空位或掺杂F 、Sb等元素后形成n型 2 半导体[1] 。SnO 膜在许多技术领域得到了广泛的应用。由于它既具有高的光透射性又有良好 2 的导电性能，因此可以用于液晶显示电极、气敏传感器、薄膜电阻气敏元件、太阳能电池、 窗口涂层等等[2, 3] 。当加入适量的掺杂元素如Sib、In 、F后，可以极大的提高导电性能，同 时可以通过调整掺杂量来控制电导率。其中Sb掺杂SnO2 (Antimony Doped Tin Dioxide, 简称 ATO)透明导电薄膜可用作显像管的防辐射、防眩光、防反射材料，是近年来国际上材料科 [4] 学领域研究的热点之一 。 ATO薄膜有多种制备方法，常见的有喷涂法、CVD法、溅射法、热蒸发法、湿化学沉积 法和溶胶凝胶法[5] 。从产业化的角度来看，溶胶凝胶法有其独特的优势：纯度高、设备简单、 可以大面积涂膜[6]、 容易控制膜厚、成本低。本文采用溶胶凝胶法在玻璃基片上制备掺锑 SnO2透明导电薄膜，研究了其电学光学特性，重点研究了制备过程中各种因素对薄膜性能 的影响。 2 ．实验步骤 2.1 SnO2 溶胶的制备 取一定量的分析纯SnCl ·2H O溶于一定量的无水乙醇中，置于回流装置中于80º Ｃ下搅 2 2 拌回流4 小时，然后加入一定配比量的分析纯SbCl3(Sb:Sn为5%，10%，15%)，继续加热搅 拌回流4 小时，再将溶液加热蒸发至原体积的1/3，在30º Ｃ恒温下静置陈化2-3 天，形成透 [7] 明澄清流动的溶胶 。 2.2 基片的清洁 3 将普通载玻片（25×76×1mm ）分别用去污粉和去离子水洗净，在较浓的HNO 溶液中浸 3 1本课题得到湖北省自然科学基金（项目编号：2001ABB017 ）的资助。 - 1 - 泡24 小时，使用前先用去离子水冲净，再放入乙醇溶液中于超声波下清洗15 分钟，除去表 面吸附的油脂、粉尘等。 2.3 提拉镀膜 将基片浸入溶胶中，5min后匀速垂直提拉，提拉速度控制在8～10cm/min。提拉后得到 的膜均匀而有光泽，在 100 º Ｃ的干燥箱中干燥15min，如果要制备多层膜，则重复上述过