退火气氛对脉冲激光沉积制备zn0.92co0.08o薄膜铁磁性影响.pdfVIP

中国科技论文在线 退火气氛对脉冲激光沉积制备的 Zn0.92Co0.08O 薄膜铁 磁性的影响1 * 何琼，王浩 ，汪汉斌，王喜娜，张军 湖北大学物理学与电子技术学院，武汉（430062 ） E-mail: nanoguy@126.com 摘 要: 采用脉冲激光沉积方法在P 型Si(100)和石英玻璃衬底上用ZnCoO 陶瓷靶材制备出 了Zn0.92Co0.08O 薄膜。采用场发射扫描电子显微镜、X 射线衍射、X 射线光电子能谱、紫 外-可见透过光谱仪和振动样品磁强计对样品的表面形态、结构以及磁学性质进行了测试与 分析。测试结果表明薄膜中掺杂的 Co2+ 取代了 ZnO 晶格中 Zn2+ 的位置。制备态的 Zn0.92Co0.08O 薄膜具有室温铁磁性并且其饱和磁化强度为6.3 emu/cm3。当将其在真空中 进行退火，饱和磁化强度提高到7.0 emu/cm3。反之，若将其在氧气氛中进行退火，饱和磁 化强度下降到4.2 emu/cm3 。霍尔效应测量进一步表明氧空位浓度在调制稀磁半导体薄膜的 铁磁性中起到重要的作用。 关键词：稀磁半导体；氧化锌；钴掺杂；磁性能；缺陷 中图分类号：O474 1. 引言 近年来稀磁半导体引起了大家越来越大的重视，由于其具有独特的自旋属性而存在潜在 的科技应用[1-4] 。在众多的稀磁半导体体系中，3d 过渡金属掺杂的 ZnO 体系被大量的研究， 这不仅是因为理论计算和实验研究预言了它们具有高居里温度，而且 ZnO 含量丰富，制备 合成易于控制，另外还具有优异的输运性质[1,3,5,6] 。到目前为止，已经有很多组报道了具有 室温铁磁性的 ZnO 基稀磁半导体材料[7-9] 。最近，王等报道了用电化学沉积方法制备出具有 室温铁磁性的Co 掺杂ZnO 薄膜[10] 。徐等报道了用简单的共沉淀方法合成出单相的Zn Co O 1-x x (x = 0.02, 0.04) 粉末具有明显的室温铁磁行为[11] 。尽管有报道认为Co:ZnO 薄膜和纳米结构 具有本征铁磁性，但是仍然有一些报道认为 Co:ZnO 是非铁磁性[12-14]或者铁磁性是源于第二 磁相例如 ZnCo2O4 和 Co 金属团簇[15,16] 。为了弄清楚稀磁半导体的磁性起源，人们提出了各 种磁相互作用机制，例如载流子调控铁磁性[3,17]，sp-d 交换，过渡金属元素 d 电子轨道的双 交换[1] 。此外，也有人提出与缺陷相关的磁相互作用在解释氧化物稀磁半导体的磁性来源时 起了重要的作用。不同的机制例如结构缺陷，氧空位，锌填隙，锌空位也被提出认为是 ZnO 基稀磁半导体的铁磁性来源[18,19] 。不过，缺陷在调制铁磁有序中所起的真正作用到现在为止 仍然具有争议性[20,21] 。为了弄清楚 ZnO 基稀磁半导体的铁磁性起源，需要大量进行基于不 用方法的实验研究。 本文采用脉冲激光沉积方法在 P 型 Si(100)和石英玻璃衬底上用 ZnCoO 陶瓷靶材制备出 了Zn0.92Co0.08O 薄膜，研究了不同退火气氛对 Zn0.92Co0.08O 薄膜的结构和磁性能的影响，发 现氧气氛退火可以降低薄膜的饱和磁化强度，而真空退火能够提高薄膜的饱和磁化强度。分 析结果表明缺陷（氧空位）调制的交换机制是 Co:ZnO 薄膜的铁磁有序的来源。 2. 实验 本实验中，采用脉冲激光沉积方法在 P 型 Si(100) 和石英玻璃衬底上沉积 Zn0.92Co0.08O 薄膜。此处，采用石英玻璃衬底的目的是为了方便可见光透过率和霍尔效应的测量。钴掺杂 1本课题得到教育部高等学校博士学科点专项科研基金（项目编号：20060512004 ）的资助 -1- 中国科技论文在线