温度对CdSeZnS量子点吸收光谱和光致发光谱影响.pdfVIP

温度对CdSe/ZnS 量子点吸收光谱和光致发光谱的影响1 闫海珍，张庆豪 浙江工业大学理学院，杭州（310023 ） E-mail：yanhaiz2001@163.com 摘 要：本文测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS 量子点在室温到近本底溶 液沸点温度间的吸收与光致发光谱，比较了两种不同的CdSe/ZnS 量子点的光谱特性，讨论 了温度对吸收和光致发光谱峰值波长以及相对强度的影响。结果表明：在25℃～100℃范围 内，CdSe/ZnS 量子点激子吸收峰波长有微小红移，最大约为 1nm；光致发光谱峰值波长略 有红移，但最大不超过 4nm 。根据光致发光谱测量的结果，确定了 Varshni 定律中关于 α (2.0 =±0.2)×10−4 eV/K 和β 200 =±30K 。 CdSe/ZnS 量子点禁带宽度的两个经验参数： 实测的吸收强度与光致发光谱强度与量子点数密度成正比。 关键词：CdSe/ZnS 量子点；溶液温度；吸收谱；光致发光谱 中图分类号：TN304.2；O482.3 1．引言 近年来，半导体纳米晶体（量子点）由于其独特的光物理和光化学特性，正在成为物理 学、材料科学和生物学等领域的研究热点。目前，制备量子点的常用方法是外延生长法。在 外延生长过程中，人们可以通过改变或控制生长条件来改变纳米晶粒的大小，从而改变其光 致发光谱和吸收光谱的峰值波长以及谱分布。这种特性是天然元素不具备的，因而，使其在 光学器件方面有着极为广阔的应用前景。对于发射波长范围较窄且呈高斯对称的量子点，可 [1] 以满足量子点激光振荡的要求 。对于激发波长范围较宽且分布连续的量子点，容易形成宽 带光放大，从而可做成量子点光纤放大器[2] 。此外，由于量子点光致发光谱峰值波长位置可 [3] 由其粒径大小调控，因此可以满足量子点红外探测器对多波长的选择 ，等等。 量子点应用在光电子器件中时，要求其具有较高的发光稳定性和发光效率。对于可能影 响量子点发光稳定性的环境因素，目前有许多报道，如量子点用于生物标签时溶液的PH值 对光谱的影响[4] [5] ，用于探测器的激发波长的选择对于光致发光谱的影响 ，等等。由于量子 点中的载流子在激发态与基态间跃迁，有暗电流产生，因此热噪声不可避免。在所有影响量 子点稳定性的因素中，量子点的热稳定性至关重要。包覆层ZnS 的厚度对于CdSe/ZnS量子点 的温度敏感性至关重要[6] [7] 。本底有机溶剂碳数的多少直接影响加温过程中量子点发光强度 。 Varshni在研究半导体禁带宽度与温度关系的过程中，发现很多半导体材料随温度上升，禁带 宽度变窄，并符合一定的数值关系，人们称之为Varshni经验公式。Varshni经验公式中，不 同的半导体材料有两个不同的经验系数α和β。近年来，随着半导体纳米晶体研究的迅速发 展，人们已找到可用于GaN[8], AlN, InAs等量子晶体的Varshni公式中的经验系数，但用于 CdSe/ZnS量子点的尚未见有报道。由于CdSe/ZnS量子点是一种内核为CdSe、外包覆ZnS膜的 比较特殊的量子点，它的禁带宽度等特性是否仍可用Varshni经验公式描述，其两个经验系数 α和β是多少，这是一个值得研究又令人感兴趣的问题。 禁带宽度可以通过吸收谱和辐射谱来确定。本文采用光谱测量的方法，得到了国产和进 口并溶于不同有机溶剂中的两种CdSe/ZnS量子点在不同