激光加工形成硅基上氧化低维纳米结构PL发光.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ １ 犞狅犾．２９ 犖狅．１ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ １ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犑犪狀．２００８ 激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的 发光 犘犔 ， １ １ １ １ １ ２ ２ １ 黄伟其 吴克跃 许 丽 王海旭 金 峰 刘世荣 秦朝建 秦水介 　 　 　 　 　 　 　 　 　 （ 贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室，贵阳 ） １ ５５００２５ 　 （ 中国科学院地球化学研究所，贵阳 ） ２ ５５０００３ 　 摘要：用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构，可以用激光与半导体相互作用产生的等离子 体波模型来解释这些结构的形成机理 其中，在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的 波长的光致发光（ ）峰，在硅 ． ７０６狀犿 犘犔 锗合金上形成的多孔状结构于波长为 处有极强的 峰，在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为 ７２５狀犿 犘犔 ７６０狀犿 和 处也有较强的 峰；这些结构表面都覆盖有氧化硅层，在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗晶团簇，并用 ８６６狀犿 犘犔 相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应． 关键词：氧化低维纳米结构；等离子体波；光致发光 ： ； 犘犃犆犆 ７２８０犈 ７８６０犉 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犙４７１１ 犃 ０２５３４１７７２００８０１０１１６０７ 　　　 　　　 用激光诱导能生成镶嵌于层中的纳米硅或锗的量子团 引言 簇 总之，用激光辐照手段来构造氧化低维结构有独特 １ ． 　 的优越性． 硅与锗的材料在信息产业中的微电子工程里有很 本文选择用激光辐照的方法在单晶硅样品和锗硅 好的基础与应用，硅和锗的器件