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第 卷 第 期 半 导 体 学 报
２９ １ 犞狅犾．２９ 犖狅．１
年 月 ，
２００８ １ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犑犪狀．２００８
激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的 发光
犘犔
，
１ １ １ １ １ ２ ２ １
黄伟其 吴克跃 许 丽 王海旭 金 峰 刘世荣 秦朝建 秦水介
（ 贵州大学贵州光电子技术与应用重点实验室，贵阳 ）
１ ５５００２５
（ 中国科学院地球化学研究所，贵阳 ）
２ ５５０００３
摘要：用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构，可以用激光与半导体相互作用产生的等离子
体波模型来解释这些结构的形成机理 其中，在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的 波长的光致发光（ ）峰，在硅
． ７０６狀犿 犘犔
锗合金上形成的多孔状结构于波长为 处有极强的 峰，在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为
７２５狀犿 犘犔 ７６０狀犿
和 处也有较强的 峰；这些结构表面都覆盖有氧化硅层，在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗晶团簇，并用
８６６狀犿 犘犔
相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应．
关键词：氧化低维纳米结构；等离子体波；光致发光
： ；
犘犃犆犆 ７２８０犈 ７８６０犉
中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）
犙４７１１ 犃 ０２５３４１７７２００８０１０１１６０７
用激光诱导能生成镶嵌于层中的纳米硅或锗的量子团
引言 簇 总之，用激光辐照手段来构造氧化低维结构有独特
１ ．
的优越性．
硅与锗的材料在信息产业中的微电子工程里有很 本文选择用激光辐照的方法在单晶硅样品和锗硅
好的基础与应用，硅和锗的器件
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