高介电常数材料在半导体存储器件中应用.pdfVIP

第22卷　第3期 固体电子学研究与进展 V o l. 22,N o. 3 　　　　　　　　 　　　　　　　　 2002 年 8 月 R E SEA R CH PRO GR E SS O F SSE A u g. , 2002 高介电常数材料在半导体存储器件中的应用 邵天奇　任天令　李春晓　朱　钧 (清华大学微电子学研究所, 北京, 100084) 200 10 109 收稿, 200 106 11 收改稿 摘要: 高介电常数材料是当前微电子行业最热门的研究课题之一。它的应用为解决当前半导体器件尺寸缩 小导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能性, 同时利用一些高介电常数材料具有的特殊物理特性, 可实现具有 特殊性能的新型器件。文中主要介绍几类常用的高介电常数材料的特性和制备方法, 及其在半导体存储器件中 的应用和前沿课题。 关键词: 高介电常数材料; 铁电体; 氮化物; 铁电存储器; 铁电场效应管 中图分类号: TN 47　　文献标识码: A 　　文章编号:(2002) 033 1206 A ppl ica t ion of H igh D ielectr ic Con stan t M a ter ia ls in M em ory D ev ices 　 　 　 SHA O T ian q i R EN T ian lin g L I Cunx iao ZHU J un (I ns titu te of M icroelec tron ics , T s ing h ua U n iv ers ity , B e ij ing , 100084, CH N ) : , ( ) A bstract R ecen t ly h igh d ielect r ic con stan t h igh K m ater ia ls are p a id m o re an d m o re . at ten t ion fo r th eir g reat u se in m icro elect ron ics It is a p o ssib le w ay to so lve th e p rob lem o f th e . th in gate ox ide lim itat ion faced by sem icon du cto r in du st ry in th e fu tu re Som e n ew dev ice s . w ith g reat va lu e w ill b e rea lized by u sin g th e sp ecia l p rop