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氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能.pdf
第30卷第7期 无 机 化 学 学 报 V01．30No．7
2014年7月 CHINESE OFINORGANICCHEMISTRY 1719—1724
JOURNAL
氮化铝纳米锥的低温生长与场发射性能
裴笑竹 赖宏伟 张永亮 蔡婧 吴 强。 王喜章
f介观化学教育部重点实验室，南京大学化学化工学院，南京2100931
V·
斗m一·范围，且随制备温度升高而减小。结果表明A1N纳米锥可在低温条件下获得，且具有较好的场发射性能。
关键词：氮化铝；低温生长；化学气相沉积； 场发射：纳米锥
中图分类号：0611．4 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2104)07—1719—06
DoI：10．11862／CJIC．2014．198
GrowthandFieldEmission ofAINNanocones
Low-Temperature Property
PEIXiao—ZhuLAI ZHANG CAI WU
Jing Qiang+WANGXi—Zhang
Hong—Wei Yong—Liang
andChemical
Education，School Engineering,
ChendstryofMinistryof ofChemistry
(KeyLaboratoryofMesoscopic
University，Nanjing210093，China)
Naming
viathechemicalreactionbetweenand at
Abstract：The ofA1Nnanostruetures A1C13NH3ternperature
preparation
oCwhilenonitride couldbe
A1Nnanoeoneshavebeenobtainedat500
below600℃wasexamined．and product
showthattheA1Nnanoeones inthe
formedat480oc．Fieldemissionmeasurements preparedtemperaturerange
of
fieldsof14．2～20V·LLm一1whichdecreaseswiththeelevation
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