B—N链对锯齿型石墨烯纳米带电子结构影响.pdfVIP

· 140 · 材料导报 B：研究篇 2012年 12月(下)第26卷第 l2期 B—N链对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响 王 辉，徐 慧 (中南大学物理与电子学院，长沙 410083) 摘要 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了边缘对称和反对称的锯齿型石墨烯纳米带的电 子结构，考察了 N链掺在不同位置时的影响。研究结果表明：N原子链有向边缘迁移的现象，并且其掺杂在石墨 烯纳米带中央时对体系电子结构的改变很小，而掺杂在边缘时会使体系在 费米能级附近的能带结构发生显著的变 化。边缘被 N链取代的石墨烯纳米带的能隙被打开，并产生了明显的自旋非简并现象。这些现象的出现归因于掺 杂体系中边缘 电子态的重新分布。 关键词 锯齿型石墨烯纳米带 B-N链 掺杂 电子结构 中图分类号：TB321 文献标识码 ：A EffectsofB—N ChainDopingonElectronicStructureof ZigzagGrapheneNanoribbons W ANG Hui，XU HUi (SchoolofPhysicsandElectronics，CentralSouthUniversity，Changsha410083) Abstract Using first—principlesbasedondensityfunctiona1theory。theelectronicstructuresof N chain dopedzigzaggraphenenanoribbons(ZGNRs)werestudied．ThesymmetryofZGNRsandthepositionofI}N chain wereconsidered．Theresultsshow thattheDN chainiSapttobedopedattheedgeofZGNRs．Thereareremarkable effectsontheelectronicstructureforthesystemswith thedopedB-N chainattheedgeofZGNRs．Moreover，the openedbandgapandspinnondegeneratephenomenoncanbeobservedontheZGNRswithBN chaindopedattheedge ratherthanotherpositions．ThismaybeattributedtotheredistributionofedgeelectronicstatesondopedZGNRs． Keywords zigzaggraphenenanoribbon，I}N chain．doping。electronicstructure 石墨烯纳米带的电子性质，使该体系呈现出半导体或半金属 0 引言 特性。E．Cruz—Silva等u朝分别计算了单个硼原子、氮原子和 近年来，石墨烯纳米带由于其独特的电子特性以及在未 磷原子从边缘到中间位置掺杂的锯齿型和扶手椅型石墨烯 来纳米电子学和 自旋电子学 中的潜在应用价值而受到 了越 纳米带的结合能、电子能带结构 以及量子输运性质。计算结 来越多的关注[1]。根据边缘构型的不同，石墨烯纳米带可 果表明，除了硼原子掺杂 的扶手椅型石墨烯纳米带，所有原 分为锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)和扶手椅型石墨烯纳米 子都更容易掺杂在石墨烯的边缘位置；并且边缘和中间位置 带(AGNRs)两种类型。锯齿型石墨烯纳米带由于其未配对 被硼原子掺杂的锯齿型石墨烯纳米带分别显示 出