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综合复习题 一、填空 1、电涡流传感器的物理效应是 电涡流效应 ，压电传感器的物理效应是 压电效应 ，电阻式应变式传感器的物理效应是 电阻应变效应 。 2、利用光生伏特效应可制成 光电池 光电器件，利用外光电效应可制成 光电管 和 光电倍增管 光电器件，利用内光电效应可以制成 光敏电阻 、 光敏二极管 和 光敏三极管 光电器件。 3、热电偶传感器的原理是 热电效应 ，产生的热电动势是由接触电动势 和温差电动势 两部分组成分。 4、具体来说，传感器的选用应从测量对象和测量环境 、灵敏度 、频率响应特性、线性范围、 稳定性 、 精度 方面考虑。 4、常用的差动式电感传感器有变隙式、变面积式及螺线管式三种。 6、电容式传感器可分为_变面积式__ ___变间隙式__ _变介电常数式__三种类型 7、分辨力是指规定测量范围内能检测输入量的_最小变化的能力_______。 8、根据载波受调制的参数不同，调制可分为调幅、调频和调相三种。 9、欲测量变化范围为0~2000C的温度应选择热电阻温度传感器，测量20000C的高温应选择热电偶温度传感器。 10、选择填空 电阻应变片?磁敏电阻?霍尔元件?气敏传感器?湿敏传感器光电耦合器?压电传感器 电容传感器?热敏电阻?CCD电荷耦合器压阻式传感器?光纤传感器?磁电传感器?光电二极管 ?差动变压器热释电器件?电涡流传感器?光电池?超声波传感器热电偶? ?红外传感器?正确选择以上传感器填入以下空内： 1）可以进行位移测量的传感器有差动变压器、电阻传感器； 2）可以完成温度测量的有热电偶、热敏电阻；热释电； 3）半导体式传感器是磁敏、霍尔元件、气敏传感器、压阻传感器； 4）光电传感器有光电耦合器、光纤传感器、光电二极管； 5）用于磁场测量的传感器霍尔器件6）进行振动（或加速度）测量的传感器磁电传感器、压电传感器； 7）利用物体反射进行非电量检测的传感器超声波传感器、红外传感器； 通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成，是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。 金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化，这种现象称应变效应；固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称压阻效应。 差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压；利用差动变压器测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。 把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象磁阻效应。 某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应；在介质极化方向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。 块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部会产生一圈圈闭合的电流，利用该原理制作的传感器称电涡流传感器；这种传感器只能测量金属物体。 不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路，如果两端温度不同，电路中会产生电动势，这种现象称热电效应；若两金属类型相同两端温度不同，加热一端时电路中电动势E =0。 、、。一阶、二阶系统特征方程的系数都是正数是系统。 2.霍尔效应:：通电半导体放在均匀磁场中，在垂直于电场和磁场的方向产生横向电场，这种现象叫霍尔效应。 3.压电效应: 某些晶体受一定方向外力作用而发生机械变形时，相应地在一定的晶体表面产生符号相反的电荷，外力去掉后，电荷消失，力的方向改变时，电荷的符号也随之改变，这种现象称为压电效应。 4.电涡流效应：当金属导体处于交变磁场中时，表面会因电磁感应产生电动势，该电动势因电阻的存在而发生自行闭合的游涡状电涡流，这种现象称为电涡流效应。 5.光电效应:光照射在物体上可看成一连串具有能量的光子对物体的轰击，物体吸收光子能量而产生相应的电效应，这种现象为光电效应。 6、调制：就是使一个信号的某些参数在另一信号的控制下发生变化的过程。 7、解调：把调制波恢复出调制信号的过程，称为解调。 8、测量放大器：具有对含有共模干扰信号的放大需要放大电路具有很高的共模拟制比以及高增益、低干扰和高输入阻抗的特点的放大器称为测量放大器。 9、传感器：是一种以一定的精确度把被测量转换为与