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维普资讯 170 中国原子能科学研究院年报 2007 在 中子诱发 ¨B反应中 He发射的研究 王记 民，张竟上 He在中子诱发的核反应中发射的可能性在理论上已被论证。He不稳定，自发崩裂为 1个中 子和 1个仅粒子。在总中子出射双微分谱中，考虑从 He发射得到的中子可改善低能谱与实验测量 数据的符合。此外，计算结果显示，在n+uB反应中，预平衡发射是 He发射的主要机制。对于n+¨B 核反应，在更新的模型参数和更新的能级纲图下，对 He发射做了细致的讨论。对与 He发射有关 的反应道做了详细的分析，同时给出了n+¨B的 He发射截面的理论模型计算结果。计算和分析了 入射中子能量为 14．2MeV时中子诱发HB反应的总中子出射双微分截面，与实验数据取得了很好 的符合。分别给出了中子诱发 uB在En=14．2MeV时各角度在考虑和不考虑 He发射时总出射中子 双微分谱比较，特别分析了 He崩裂所产生的中子在总中子出射双微分截面中的贡献，给出了 En=14．2MeV时 He发射在60。的中子谱。计算表明 He发射可明显改善双微分截面的低能部分与 实验测量的符合。由此，在轻核反应中，考虑 He发射是必要的。 CENDL-3．1硅的宏观检验 吴海成 利用 日本的中子和Y泄漏谱实验OKTAVIAN[1-2[对CENDL一3．1版硅同位素的全套中子评价数据 进行宏观检验。检验工作比较了基于评价核数据库CENDL一2．1、3．1，ENDF／B—VII．Or和JENDL一3．34【] 的中子和Y泄漏谱的计算值和实验测量值。检验分析发现，CENDL．3．1的。Si的分立能级非弹散射 截面可能偏小，(n，p)、(n，0)【反应的光子产生数据缺失，14MeV的弹性截面偏大等。这些问题有待 进一步修正。 E／MeV 图1 硅球的中子泄漏谱比较 维普资讯 基础和应用基础研究 ·核物理 171 10。 骚 幢 舒 銎l旷2 10一O 2 4 6 10 ET／MeV 图2 硅球的Y泄漏谱 比较 参考文献： 【1】 CHIHIROICH1HARA，KATSUHEIKOBAYASHI，SHUAHAYASHI，eta1．Leakageneutronspectrafrom various spherepileswith14MeVneutrons．JAERIReport，JAERI—M 94-014，1994． 2【】 YAMAMOTOJ，KANAOKAT，MURATAI．Gamma-rayenergyspecrtaemittedfromsphereswiht 14MeVneurton source，JAERI—M 94—014．1994． 3【】 CHADWICKM B，OBLOZINSKYP，HERMAN M，eta1．ENDF／B—VII．0：Nextgenerationevaluatednucleardata libraryfornuclerascienceandtechnology．Nuclear