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重大核科学工程 ·HI一13串列加速器升级工程 l17
BRIF—ISOL系统离子源引出系统设计方法研究
陈立华，崔保群，蒋渭生
BR／F．ISOL系统离子源的引出系统是决定引出束性能的关键部件。随着束流强度的变化，引出
束附近的电位也会随之变化。本工作利用Pierce理论，研究了引出区电位分布随束流密度变化的关
系 。
考虑到引出束存在的空间电荷效应，固定平面发射的情况下，当给定的束流密度为发射空间电
荷限制流时，可 以假定发射面附近存在一个 “剩余 电场 ”，通过求解泊松方程，得到无限大平板间
引出束流的电位分布，其解的形式为：
V(z)-~Azb (1)
其中： )表示电位；A、b是与束流密度有关的常数，1≤ ≤4／3。当b=l时，表示引出束流密度
为零；当b=4／3时，表示引出束流为空间电荷限制流。
在无限大平板问取出一定宽度 的束流作为引出束，将式 (1)作为边界条件 ，并保证该边界上
同时满足横 向电场为零，通过求解拉普拉斯方程 ，得到了平行带状束周围的电位分布为：
V(y，z)：A(z )cos(barctan(ylz)) (2)
其中：Y表示束流的横向坐标；Z表示束流的纵向坐标。
同样的方法也可以得到半径为 r0的轴对称平行束附近的电位分布。束流边缘且远离阴极区的电
位分布为：
，．，z =A z‘ l{+c叠z)2-{bb(-1)4[1c丢ro一丢zln丢rn一斗1，+ ，3．、、
r 1b(b
)4／ -
，
6 1)b(-2)b(-3)[丢()一8丢()(丢一)-41n丢一5])+…}
阴极附近的电位分布为：
’z)=ARb{cosbO+ [si _1 sin(川 +
( _lc。s(2)+11cosbO-cos(2) 一
其中： =((，．一r0)+zb ，O=-arctan((r--ro)／z)。
式 (4)对 Rro是适用的。
表 1 束流密度l与a的关系
J／(mAc·m )‘ oJ(。) ．(InA．cm一) a／(。)
307．756 67．5 214．704 75．236
297．481 68．506 170．185 78．508
285．816 69．528 119．202 82．122
270．537 70．87l 62．323 85．961
252．015 72．348 O 9O．O
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