深亚微米功耗优化的简化模型.pdfVIP

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 深亚微米功耗优化的简化模型 粟雅娟 　魏少军 (清华大学微电子学研究所 , 北京 　100084) 摘要 : 结合 DV S 和 ABB 技术 , 同时调整工作电压 V dd 和衬底偏置电压 Vb s 的方法能有效降低深亚微米功耗. 在解 析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的 V dd ,Vb s 简化模型. 模型中任意频率下对应的优化 V dd , Vb s 值中之一 为常数 ,避免了解析方法中的超越方程求解. 文章进一步对不同电容时简化模型中的参数提出了近似估计方法 μ μ SEM . 0 18 m 和 007 m 工艺参数下模拟试验表明 ,采用简化模型以及 SEM 估计方法得到的优化功耗值与解析 方法得到的结果十分接近 ,最大误差为 2 %和 5 % ,平均误差为 08 %和 1 %. 模拟实验表明本文的模型及方法在保 证优化精度的基础上减小了计算复杂度 ,适用于深亚微米下的功耗优化及评估. 关键词 : 解析方法 ; 简化模型 ; SEM 估计方法 ; DV S ; ABB EEACC : 1265A ; 2560 ; 2570D 中图分类号 : TN43 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 技术可使得静态功耗随衬底偏压指数级减小 ,但无 ( ) 1 　引言 法降低动态功耗. 由于频率是工作电压 Vdd 和衬底 ( ) 偏压 Vb s 的联合函数 ,在某一频率下 ,结合 DV S 和 随着深亚微米工艺的日渐成熟 ,不断提升的系 ABB 技术来寻找 Vdd 和 Vb s 两者的折衷 ,可得到该频 统集成度和性能造成了系统的功耗越来越大. 另一 率所对应的最小功耗. Martin[ 5 ] 提出的解析方法将 方面由于移动通信和计算设备的普及 ,从延长电池 求解 Vdd ,Vb s 的二维优化问题转化成一维优化问题. 寿命和降低设备发热的角度对低功耗提出了更高的 文献[7 ] 中的延迟模型为 Vdd , Vb s 的线性方程 , 要求. 因此 ,功耗已成为制约系统性能提高的关键. 过于粗略 ,在一定程度上影响了功耗优化的效果. 此 为此 ,研究人员提出了各种降低功耗的方法[ 1 ,2 ] . 外 , 已知工作频率下采用 Martin 的解析方法求相应 对于 CMO S 电路 ,特征尺寸减小 , 阈值电压随 的优化 Vdd , Vb s 值等价于一元超越方程的求解 ,对于 之减小 ,导致静态功耗呈指数级增长. 研究表明[3 ] , 运行负载不断变化的系统会引入时间代价. 本