英国在GaN／Si LED方面取得突破.pdfVIP

20]0年 第2期 使用另一张缓冲层是一个长期 目标，除了 “增加”其带隙外，还需确立一干燥的真空加 工技术。但最容易、最快的方法是在生产线中并入化学浴沉积 (CBD)，如像沉积CdS缓冲层 那样。该公司用CBD技术沉积了ZnS层，所用前体为硫酸锌，NH4OH和硫脲。沉积后用NH4oH 漂洗以除去层表面上过多的Zn(OH)2。用ZnS缓冲层所制器件的质量与相邻的薄本征ZnO层 有极大关系。 总结 实现了在线多阶段CIGS沉积加工，且可以用于批量生产，小面积试验电池的转换效率 达到18．3％，30cmx3Ocm组件的转换效率达到13。8％。这证明共蒸发 (多阶段)沉积ClGs是 批量生产高效率该种电池组件的有用方法。在这一新的在线多阶段 CIGS加工中连同用 CBD 法沉积ZnS缓冲层 (4t替CdS缓冲层)所制试验电池的转换效率为17．3％。 、 (邓志杰 摘译) 英国在 GaN／SiLED方面取得突破 美国能源部曾指出，要推广LED作为照明光源应用，必须要能生产光效 (率)更高、更 便宜的器件，即到2015年，LED灯光效达到150Im／W，成本低于5美元／kIm。而 目前LED照 明灯的成本在 1O美元／kIm以上；其中芯片成本约占50％，如使用面积更大、更便宜的衬底 (可提高加工效率)则芯片成本可降低一个数量级。 英国组成了以RFMD(英国)为主，有剑桥大学、AIxtron(英国)、QinetlQ和ForgeEuropa 等公司参加的联合团体，在英国政府支持下 (拨款300万欧元)共同开发高质量GaN／SiLED， 该项 目已于2007年4月启动，所用 Si衬底直径 150mm，并已制出内量子效率 (IQE)接近 40％的LED器件。选用Si衬底生长氮化物是它有多种优点：在生长温度下稳定性好、便宜、 直径可大至300mm、晶片表面适于外延生长。而且，GaN／Si外延片可用Si工业中所用标准 设备加工，从而可进行 “成本有效”的生产。 虽然 Si衬底相对于现有其它衬底蓝宝石和 SIC有上述优点，但它却有重大缺点：CaN 与Si之间有较大的晶格失配和热失配(热胀系数相差较大)使直接生长在Si上的GaN膜(典 型生长温度 1000℃)中产生张力，随着该膜冷却到室温，这一张力还会加大，由此造成的 应变可能使 GaN膜破裂；更常见的情况是所生长的晶片发生弯曲，从而使其难以在为加工 Si所设计的自动化设备中进行后续加工，与此相比，在 GaN／SiC膜中，热失配和晶格失配 的作用彼此相反，而在蓝宝石上生长的GaN会使GaN中产生收缩力，不致产生裂纹。 GaN与Sl之间的大的晶格失配还会在 GaN外延层中产生高的位错密度。氮化物 LED可 “容忍”较高的缺陷密度，但随着位错密度超过 109cm～，蓝光LED的 IQE就下降。 Sl的另一缺点是在生长起始阶段与生长室内气体发生反应，由此在表面上形成缺陷， 使表面形貌不适合其后的GaN生长。在剑桥大学所开发的在Si上生长蓝光GaN基LED技术 开发就是针对上述问题进行的。外延结构是用 MOCVD(可装一片 150mm晶片或多片 50mm晶 片)反应器中生长的，其中配备了原位检测仪以测量晶片的弯曲度和温度。使用150mm(111) Si衬底，沉积了复杂的缓冲层结构以控制应变和晶片弯曲，随后在生长带有 fnGaN阱和 GaN 势垒的多个量子阱 (MQW)LED结构，其发射波长为460nm，掺Mg制作P型GaN层。对Si衬 底进行适当处理后，开始沉积AIN核化层以保证Si表面不发生退化，随后生长复杂的缓冲 2 2,810年 第2期 层结构，仔细控制该缓冲层的组份和厚度使其 “平衡”由热失配感生的应变。为提高LED性 能，在缓冲层上面生长 GaN和AIGaN层以降低位错密度并插入一 SiN层 (在蓝宝石上生长 氮化物层时所用的技术)以进一步降低线位错密度。 原位 (监测)设备