CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较.pdfVIP

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2017-08-29 发布于浙江
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维普资讯第3l卷第4期电子器件 Vo1．31 No．4 2008年 8月 CIlineseJournalOfElectronDevices Aug．2OO8 TheoreticalAnalysisofCoolMOSOn-ResistanceandCompared、vith ofVDMOS 蚴 N Shou—cai ，LJL厂一 (GanNanNormalUniversitySchoolofPhysicsandElectronicsEngineering，GanzhouJiangxi341000，China) Abstract：Toovercomethetrade-offrelationshipbetweentheon-resistanceandbreakdown-voltageofconventional MOSpowerdevices．anewdeviceconceptcalledas“superjunction'’or“G)olMOS”hasbeenproposed．G)olMI()S ismadeofalternatelysatckedp-nadn-type，thinsemiconductorlayers．Intheoff-state，thefieldsinducedbythe depletionchargeofbothregiontypescompensateaechothertoallowthedopinginthen-regionandp-regiontobe veryhighwithoutcausingareductionofthebraekdown -volatge．Intheon-state，thehaevydopingensurestheon- resistanceislOW enougK DuetothenovelstructureoftheG)olMOS，thedevicedemonstratessignifiacntsuperiori— typropertyovertheconventionalpowerMOSFET instaticsatte，dynamicstate，nadforwardincludingreversebi— asedsafeoperatingarea．A systema tictheoreticalanalysisandaclculationofrthepropertyofG)olMOShasbeen ma deandocmpraedwiththatofVD )S，Theresultindiactesthattheon-resistanceandbreakdown -volatgerela— tionshipofCoolM0Sofrlateralstructureis：R。 ·A—C · ，ofrvertiaclstructureis：R。 ·A—C · ，which willbereducedtomorethan2一powerwhencomparedwith ·A—C · ，theon-resistanceandbraekdown - voltagerelationshipof ( Keywords：CoolMOS；superjunctiondevices；on-resistance；breakdown-voltage；VDMOS EEACC：2570 CoolMOS导通电阻分析及与 VDMOS的比较* 袁寿财，刘亚媚 (赣南师范学院物理与电子信息学院，江西赣州 341000) 摘要：为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之问的矛盾，提出了一种新的理想器件结构，称为超级结器件或Cool— MOS，CoolMOS由一系列的P型和 N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时，由于P型和 n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应，使P型