原创力文档- 1、本文档共4页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
维普资讯
第 30卷 第 3期 电 子 器’件 Vo1．30 No．3
2007年 6月 ChineseJournalOfElectronDevices
Jun．2007
StudyingoftheOptimalDesignof1000V VDMOS
WANGJia—ning，SUNWei—feng
(NationalASICSystemEngineeringResearchCenter，SoutheastUniversity，Nanjing210096，China)
Abstract：ThemainpurposeistOfindamethodofoptimallydesigningl000VVDMOS
． Throughanaly~ngresis—
torandbreakdownvoltagemodelsofVDMOS，themainparametersthatmainlyinfluencedevicesattisticcha隐cter
havebeenfound，suchasepiresistivitynadthickness，lengthofpoly，depthofp-body
． B simulationwhichaims
attheparametersabove，theoptimallydesigningl000Vdeviceisobtained．Thispapercites parma eterRat=BW
whichhasthesameresultasexhaustivemethodnadmakestheprocesseasiernadprompter．The0Dtimalde．
vice’ScharacteriSBV= 1080V，specialresistance=3．41876FA mn ·rnlTl2
．
Keywords：VDMOS；breakdownvoltage；specialresistance；optimaldesign
EEACC：2570F
1000VVDMOS的优化设计研究
王佳宁，孙伟锋
(东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京 210096)
摘 要 ：主要是寻找一种优化设计 1000V的VDMOS的方法．通过分析VDMOS导通电阻及关态击穿电压的理论模型，找
到影响器件静态特性的主要参数：外延电阻率及厚度、栅的长度、p-body结深，针对以上主要参量的模拟，最终达到优化设计 1
000V的器件．通过用R。一B Rdss来衡量优化程度，可以得到用穷举法模拟的相同结果并且模拟更简便、快捷．最终得到耐
压 1080V，特征导通电阻为3．41876E4m,fl ·n-irfl2的优化器件．
关键词：VDMOS；关态击穿电压；特征导通电阻；优化设计
中图分类号：TN432 文献标识码 ：A 文章编号：1005-9490(2007)03-I759-03
VDMOSFET功率场效应器件是近几年迅速发
1 理论分析
展起来的新型功率器件，由于它比双极型功率器件
具有许多优 良性能如：高输入阻抗，低驱动电流，开
文档评论（0）