VDMOSFET的CAD系统软件中数据类型的设计.pdfVIP

维普资讯 辽宁大学学报 joU 地 OFLIAONINGUNIVERSITY 自然科学版 NaturalSciencesEdition 第3O卷 第 2期 2003年 VD1．30 No．2 力D03 VDMOSFET的CAD系统软件中数据类型的设计 宋丽丽， 刘 歧 (辽宁大学 物理系，辽宁 沈阳 110036) 摘 要：初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法 ． 关键词 ：数据 ；CAD；VDMOSFET． 中圈分类号：仍 91．72 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000-5846(2003}02—0135-03 在 VDMOSFET的CAD设计 中，分析计算部分 位面积栅氧化物 电容 C =￡o￡．／tox，沟道长度 L= 很重要 ，要输入大量的器件的电参数指标 ，得到器 (2．5￡o￡。；BVds／qNp-)。‘等 ．但在传统的设计 中，往 件的结构参数 ，数据庞大 ，形式多样 ，包括各种参 往 以表格形式给出，这是 由于它在传统设计 中不 数值 、数表 、图等．如掺杂浓度与 电阻率 的关系系 便于用手工计算这些数据 ，只能将算好的部分临 数、沟道载流子迁移率，栅击穿电压的级差，栅 界点的数据列 出来 ，而利用’CAD软件设计时，用 sio2厚度与 P‘体 区掺杂浓度 的曲线图及设计参 户可以为其编制子程序段控制这个计算过程 ，可 数的标准系列等．在传统的 VDMOSFET设计 中， 以任意输入满足范围内数据得出相应 的结果 ．比 这些数据往往要翻阅大量的资料 ，费时又费力 ．在 如在外延材料的选取方面需要考虑外延层电阻率 应用 CAD进行设计时，我们要将计算机存贮数据 p，P与掺杂浓度 有关．Ⅳ 的关系可近似表示 量大、运算速度快、查询功能强的特点充分利用， 为 ：NB=(A6×10”／BVDs)们，P=l／ttqNB，其 中A、 把VDMOSFET设计中的各种数值、数表和 图等存 随BV璐的不同变化 ，q为常量，值是 1．6×10 ’． 贮在计算机中，使我们在进行设计时能准确 、快捷 算法描述为 ： 地从计算机上获取设计所需数据 ，在开发 CAD软 intBV，by，mv，A； 件时必须考虑数据 的处理方法 ．计算机处理数据 floatNepi，Pe； 的方法多种多样 ，它们是建立在具体 的数据类型 prinff(“请输入电压 ：＼n”)； 的基础上的，数据类型不同其处理方法也不相 同． scanf(％d，&BV)； 1 根据数据的外在形式构造数据类 if(BV<20) by= 一1； 型 else 在 VDMOSFE