Double_RESURF_nLDMOS功率器件的优化设计.pdfVIP

第3O卷 第2期 固体电子学研究与进展 Vo1．3O．No．2 2010年 6月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Jun．，2010 DoubleRESURFnLDMOS功率器件的优化设计 朱奎英 钱钦松 孙伟峰 (东南大学 国家专用集成 电路系统工程技术研究中心，南京，21O096) 2009—11-l3收稿 ，2010-02—03收改稿 摘要 ：基于漂移区表面具有单个P—top层 DoubleRESURFnLDMOS的结构和耐压机理，提出了具有P．top层 终端结构的DoubleRESURFnLDMOS结构，并通过利用SENTAURUSTSUPREM4和DEVICES软件进行优化 设计。P—top层终端结构不仅降低了击穿电压对P—top层参数的敏感度 ，而且在漂移区引入一个 附加 的电场峰值 ，使 漂移区电场分布进一步趋于平坦化 。与传统SingleRESURF和普通DoubleRESURF器件相对 比，击穿电压可 以分 别提高约 13．5％和4 ，导通 电阻却提高了11．8 和 6 ，但在满足击穿电压相等的条件下，该结构通过控制P—top 层 的位置和漂移 区剂量可 以使导通电阻降低约37 。 关键词 ：降低表面 电场的双扩散金属氧化物晶体管；P—top层终端结构 ；电场峰值 ；击穿电压 ；导通电阻 中圉分类号 ：TN386 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2010)02—0256—06 Design andOptimization ofDoubleRESURF nLDM oSPowerDevices ZHU Kuiying QIAN Qinsong SUN Weifeng (NationalASICSystemEngineeringTechnologyResearchCenter，SoutheastUniversity，Nanjing，210096，CHN) Abstract：ThispaperproposesanoveldoubleRESURF nLDM OSwithaP—toplayertermi— nal，basedonthestructureandbreakdownprincipleofthedoubleRESURF nLDM OSwithasin— gleP—toplayer，andoptimizesthisnew structurebyTSUPREM4andSENTAURUSDEVICES． TheP—toplayerterminalweakensthedependenceofthebreakdownvoltageontheP—toplayers， andproducesanadditionalelectricfieldpeakinthedriftregionresultedinflateningofthedistri— butionoftheelectricfieldpeaks．Thesimulation resultsindicatethatthebreakdownvoltageiS greatlyimprovedby13．5％andthe4％，andtheon—resistanceisincreasedby11．8 and6％， comparedtothesingleRESURFandtheconventionaldoubleRESURF LDM0S．Underthecon— ditionofthesamebreakdownvoltageofthreestructures，on—resistanceofthisnew structurecan bereducedby37％ bycontrollingtheP—toplayerlocationanddriftdose． Keywords：doubleRESURF LDM OS；P—top layerterminal；electricf