75伏功率Trench_MOSFET设计.pdfVIP

辽宁大学学报 JOURNALOFLIAONINGUNIVERSITY 自然科学版 NaturalSciencesEdition 第 37卷 第4期 2010年 V0l_37 No．4 2010 75伏功率TrenchMOSFET设计 王 庚 (营口边防检查站，辽宁 营口115000) 摘 要：简单介绍了TrenchMOSFET的基本结构和工作原理．以漏源耐压75伏器件为例，详细的讨论该类 器件的设计方法．依据一定的器件电参数指标，给出了相应的一套完整的结构设计数据．从外延片的选择 到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果． 关键词：Trench；MOSFET；设计 中图分类号：TN303 文献标识码：A 文章编号 ：1000-5846(2010)04-0347-04 率场效应晶体管是近几年迅速发展起来的新 型功率器件，由于它比双极型功率器件具有许多 优良性能，正广泛应用于各种电子设备中 J．其 中沟槽结构的TrenchMOSFET管更是当前发展极 快的功率器件，沟槽 MOS结构如 1所示．它是在 VDMOSFET的基础上发展起来的，两者均属于高 元胞密度器件．但该结构与前者相 比有许多性能 优点：如更低 的导通 电阻、低栅漏电荷密度、器件 开关损耗小和开关速度快．同时由于TrenchMOS— FET的沟道是垂直的，故可进一步提高其沟道密 度，减小芯片尺寸． 图2 TrenchMOSFET的立体结构图 结构中，当栅极与源极短接后加一正向漏源电压， P型基区与漂移区之间的PN结反偏，由于P基区 具有较高的掺杂浓度，耗尽层主要向漂移区扩展． 由于栅极电压为零，沟道表面未形成反型层，无漏 源电流，器件处于截止区；当在栅极加一正向偏压 图1 TrenchMOSFET单胞结构剖面图 ( VT)时，沟道区出现反型层，形成导 电沟道 ， 功率MOSFET的工作原理与MOS管的类似， 产生漏源电流，器件处于线性区_3I4J．导通电阻是 也分为截止区、线性区和饱和区，在功率 MOSFET 功率MOSFET的一个重要参数，它描述了器件的 + 作者简介：王庚(1972一)，男，辽宁锦州人，工程师，研究方向：电子信息 收稿 日期：2010-0711 348 辽宁大学学报 自然科学版 电流驱动能力．随着漏源 电压的增加，沟道夹断， 穿条件下的P—n一结在 P一区一侧的耗尽层宽度 漏电流饱和，器件进人饱和区．当漏源电压增加到 ， 即L1．8 vD。 时，器件进入击穿区．要使功率MOSFET 而 可表示为-- 进入关态，只要将栅电极和源电极短接，使栅压减 为零，反型层消失，导电沟道断开，功率 MOSFET (等 )丁㈤ 则 由开态进人关态． 式中 与P一的掺杂浓度 一有关，浓度越 1 外延材料的选择