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2017-08-29 发布于河北
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刘翔等：金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展文章编号：]006—6268(2010)10—0028-05 技 G 术金属氧化物I ZO薄膜晶体管的交流最新研究进展刘翔1，薛建设1，贾勇1。周伟峰1，肖静2，曹占峰1 001 (1．京东方科技集团股份有限公司TFT—LCD器件与材料技术研究所。北京176； 2．山东省泰山学院物理与电子工程学院。山东泰安271021) 摘要：最近几年，金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点，具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点。备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点，总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素，并提出了制作高性能金属氧化物IGZO 薄膜晶体管的方法。关键词：薄膜晶体管；氧化铟镓锌；氧化物；器件结构中图分类号：TN383．+1 文献标识码：B Zinc TheRecentResearch of IndiumGallium ProgressAmorphous OxideThinFilmTransistors 2 LIU CAO Xian91，XUEJian—shel，JIAYon91，ZHOUWei—fen91，XlAOJing Zhan-fen91， DeviceMaterialResearch Center，BOE Co．， (1．TFT-LCD Technology TechnologyGroup Research 1001 76，China； Ltd．，TechnologyInstitute，Beijing andElectronic University，TaianShandong 2．Physics EngineeringCollege，Taishan 271021，China) thinfiIm indium zincoxide Abstract：Recently．amorphous gallium haveattracted as TFn considerableattentionfortheir merits，suchhigh

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