ZnNb_2O_6+-TiO_2微波介质陶瓷及在电容器中应用.pdfVIP

ZnNb_2O_6+-TiO_2微波介质陶瓷及在电容器中应用.pdf

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第29卷第3期 电 子 元 件 与 材 料 、,01.29No.3 2010年3月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDMATERIALS Mar.2010 吴松平1,骆建辉1,付贤民2,丁晓鸿2 (1.华南理工大学化学与化工学院,广东广州510641;2.深圳振华富电子有限公司,广东深圳518109) 摘要:采用固相法在880~975℃下烧结制备了添加w(CuO)为2.00%,w(B203)flJ3.00%及w(Sn02)为O.15%的 h 和即减小,Q·,升高.但当t一975℃时,出现过烧现象,晶体缺陷增多恶化了材料的Q·厂.在950℃烧结4 172.2 GHz.且在此温度下制备的多层片式陶瓷电 时,得到最好的介电性能:岛为6.7,可=-22.6×l矿,℃,Q·产18 Q,tan6为9×10弓,可靠性良好. 容与内电板A990Pdl0的兼容性良好,忌。为0.3426 关键词:微波介质陶瓷:介电性能;ZnNb2%;电容器 doi:10.3969/j.issn.1001-2028.2010.03.018 文献标识码:A 中图分类号:TM22+5 文章编号:1001—2028(2010)03-0065.03 microwavedielectricceramics ZnNb206-Ti02 andtheir in applicationcapacitors. WU Songpin91,LUOJianhuil,FUXianmin2,DINGXiaohon92 andChemical SouthChina 510641,China; (1.SchoolofChemistry Engineering UniversityofTechnology,Guangzhou 2.ShenzhenZhenhnaFerriteCeramicElectronicsCo.,Ltd,Shenzhen518109,GuangdongProvince,China) microwave with dielectricceramics Abstract:ZnNb206-1.751102 w(CuO)=2.00%,w(B203)=3.00%andw(Sn09=0.15% additiveswere at solidstatereactionmethod.Themechanismof 880~975℃through low-temperaturesintering, prepared themicrowavedielectric andtheir ceramicsin were properties application multi-layer investigated.

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