偏滤器等离子体中杂质对钨壁材料的侵蚀模拟研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 14 (2014) 145204 偏滤器等离子体中杂质对钨壁材料的 侵蚀模拟研究 孙振月 桑超峰 胡万鹏 王德真 (大连理工大学物理与光电工程学院, 三束材料改性教育部重点实验室, 大连 116023) ( 2014 年2 月10 日收到; 2014 年3 月18 日收到修改稿) 偏滤器是托卡马克中与等离子体直接接触的部件, 为了保证装置的寿命, 需要尽可能地减小等离子体对 偏滤器靶板的侵蚀. 本文用粒子模拟的方法研究了不同等离子体温度情况下碳和铍两种杂质离子对钨偏滤器 侵蚀速率的影响. 模拟首先得到稳定的鞘层结构、入射到靶板的离子流和能流密度, 并通过统计获得了入射离 子的能量和角度分布, 最终根据这些物理参量, 采用经验公式计算出钨靶板的侵蚀速率. 研究表明, 在等离子 体温度不太高的情况下, 钨靶板的热侵蚀几乎不起作用, 而由于杂质离子对钨的物理溅射阈值较低, 并且会通 过鞘层加速获得能量, 因此其对钨壁材料的物理溅射是导致靶板侵蚀的主要原因, 另外靶板材料的侵蚀速率 随着等离子体温度升高以及杂质含量增大而急剧增大. 关键词: 偏滤器, 等离子体与器壁相互作用, 粒子模拟 PACS: 52.55.Rk, 52.40.Hf, 52.65.Rr DOI: 10.7498/aps.63.145204 钨(W) 材料是下一代聚变装置器壁材料的 3 1 引 言 主要候选材料 , 主要是因为其熔点非常高 (3683 K)4 , 并且具有高的热传导系数和热应力 随着社会的发展, 能源消耗急剧上升, 人类面 抵抗力, 同时钨的溅射阈值非常高, 这样就保证了 临着能源枯竭的危机. 核聚变反应是一种潜在的新 其具有很小的溅射率, 从而限制了杂质的产生. 此 能源, 受控核聚变会产生上亿度的高温等离子体, 外钨不会被氢化, 也不会同氢同位素共同沉积, 这 而任何实物容器都无法承受如此高的温度, 必须采 就保证了钨材料中氢同位素的滞留量很少. 但钨 用特殊的方法约束等离子体. 磁约束聚变装置(也 属于高Z 材料, 具有很高的辐射能量损失, 很少量 称为托卡马克) 是最有希望实现可控核聚变的实验 的钨杂质( )5 就会导致托卡马克等离子体熄 装置. 在托卡马克中, 聚变反应产生的大量杂质和 6 火, 因此需要严格控制钨壁材料的侵蚀 . 研究表 热量需要从芯部区域排出, 为避免这些载能粒子直 明, 只要保证氢粒子入射到钨器壁的能量不超过 接辐照器壁, 引起器壁损伤, 人们在托卡马克装置 200 eV, 钨的侵蚀完全可以避免. 但是托卡马克中 中引入了偏滤器作为聚变装置中排除杂质和能量 不同的位置会选择不同的面壁材料, 例如: 国际热 的主要组成单元1 . 由于等离子体在偏滤器靶板上 核聚变实验堆(ITER) 中会选用钨和铍(Be)两种材 会发生一系列物理与化学反应, 导致器壁的侵蚀、 料7 , 先进实验超导托卡马克(EAST) 中将会使用 杂质的生成、燃料的滞留等诸多问题, 因此偏滤器 钨、碳(C) 等材料. 等离子体与器壁发生相互作用的 等离子体与器壁相互作用是一个非常重要的研究