第九章 集成化传感器和微系统.pptVIP

硅片冷却 PEB后，显影前，硅片放置在冷却板上冷却至环境温度 高温会加速化学反应引起过显影 光刻胶CD变小 显影 显影液溶解部分光刻胶 正胶显影液通常使用弱碱性的溶剂 最常用的是四甲基氢铵 将掩膜上的图形转移到光刻胶上 三个基本步骤:显影－清洗－干燥 显影后烘 使光刻胶中的溶剂蒸发 提高抗刻蚀和抗离子注入性 提高光刻胶和硅片表面的黏附性 聚合化并稳定光刻胶 光刻胶流动填平针孔 图形检查 不合格的硅片将被去除光刻胶返工 –光刻胶的图形是临时性的 –刻蚀和注入后的图形是永久的. 光刻是可以返工的 刻蚀和注入后不能返工 光学显微镜 扫描电子显微镜(SEM) 检查 对准精度 –放大,缩小,掩膜旋转,硅片旋转, X方向漂移,Y方向漂移 关键尺寸(CD) 表面缺陷如，刮痕，针孔，污点，污染物等 检查 如果硅片检查合格，将会流出光刻模块，进入下一道工艺 刻蚀或离子注入 9-2-2 刻蚀 湿法刻蚀 各向同性湿法腐蚀 各向异性湿法腐蚀 干法刻蚀 离子溅射刻蚀（物理作用为主） 等离子体刻蚀（化学反应为主） 反应溅射刻蚀（物理、化学作用兼有） * 1. 湿法刻蚀 又叫湿化学腐蚀方法，是种接触性腐蚀。腐蚀样品中没有光刻胶覆盖的部分。 腐蚀液不但侵蚀溶掉深度方向的材料，而且同时腐蚀侧壁的材料 在特定溶液和材料的条件下可显现为沿一定晶面的选择性腐蚀。 * 1. 湿法刻蚀 为了能精确控制腐蚀形状和厚度，要考虑腐蚀中止。中止技术有：硼参杂P+中止；PN结腐蚀中止；电化学腐蚀的掺杂浓度中止。 不同的材料，可以选择不同化学组分的腐蚀液来进行选择性腐蚀，这些材料包括单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、Al2O3、玻璃、其它电介质和高聚物等。 * 例：各向异性腐蚀的硅做悬臂梁加工工艺 * 2. 干法刻蚀 指用腐蚀剂的气态分子与被腐蚀的样品表面接触来实现腐蚀功能。 高速的离子束射向固体表面，使之撞击固体表面的原子，当入射离子传递给固体原子的能量超过其结合能时，固体原子就会脱离其晶格位置，被溅射出来。 刻蚀气体在高频电场发生电离，产生等离子体（离子、自由电子、分子以及中性原子等游离基）。游离基与被刻蚀材料生化学反应，生成能被气流带走的挥发化合物。 聚焦方式离子溅射刻蚀 掩模方式离子溅射刻蚀 * 例：干法刻蚀的加工工艺 * 9-2-3 薄膜技术 薄膜：指衬底上的一层薄层材料，厚度在零点几纳米至数十微米。（金属、半导体、绝缘体） 制备薄膜方法： 气相方法制膜：化学气相淀积（CVD）和物理气相淀积（PVD） 液相方法制膜：包括化学膜、电镀、浸喷涂等。 * 1 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposotion） 使用加热、等离子体或紫外线等各种能源，使气态物质经化学反应（热解或化学合成），形成固态物质淀积在衬底上的方法。 CVD法常用来制造介质纯化膜，也可以制造半导体薄膜。 技术原理 * CVD过程 反应气体输运到淀积衬底上方； 反应气体以扩散方式穿过附面层，到达衬底表面并被吸附； 反应气体在衬底表面发生化学反应，生成淀积薄膜； 未反应气体和反应生成物脱离衬底表面，又回到主气流中去 * CVD工艺技术 常压CVD技术（Si3N4、Al2O3薄膜） 卧式装置：需通入大量的携带气体，以得到均匀的膜。 立式装置：采用旋转式或行置式加热器，得到均匀的 反应气分布，从而得到厚度均匀的膜。 LPCVD技术（Si3N4、多晶硅和SiO2薄膜） 整个体系内的压力低，载气少、大部分为反应气体能更好的向基片表面扩散。利于成膜的均匀。 PCVD技术（Si3N4、多晶硅、 Al2O3和SiO2薄膜） 在非平衡等离子体中，气态物质被激活，在衬底上发生化学反应，沉淀出固态薄膜。以Si3N4为例： * 2 硅的热氧化制膜技术 定义： 原理：氧化剂和硅一经接触，就会很快生成一层很薄的氧化膜（1000nm），此膜会阻止氧化剂和硅直接接触。这时，为了进一步氧化，氧化剂质点必须以扩散方式通过氧化膜到达SiO2-Si界面，在该处与硅反应，才能形成新的SiO2。 硅 氧化剂 SiO2薄膜 * 2 硅的热氧化制膜技术 硅的常压热氧化技术 一般分为水汽氧化、干氧氧化、湿氧氧化。 硅的高压热氧化技术 在几百个大气压下进行，可加速氧化物生长。可分为高压水汽氧化和高压干氧氧化。 硅的等离子体氧化技术 可在500℃以下的条件下利用等离子体来激活反应，获得厚度均匀的氧化层。 * 3 真空蒸发镀膜技术 方法：在1.33×10-2Pa以下的真空室内，采用电阻加热、电子轰击或其他方法，直接或间接地把蒸发料加热到使大量的原子或分子离开其表面，然后使这些原子或分子淀积到基片上形成薄膜。 过程：从蒸发