TiO2和SiO2薄膜应力产生机理及实验探索.pdfVIP

维普资讯 第 55卷 第 12期 2006年 12月 物 理 学 报 Vo1．55，N0．12，December，2006 1000—3290／2006／55(12)／6459—05 ACTA PHYSICA S1N1CA ⑥2006Chin．Phys．Soc． TiO2和 SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索 顾培夫 郑臻荣 赵永江 刘 旭 (浙江大学现代光学仪器国家重点实验室，杭州 310027) (2006年 3月 16日收到；2006年7月3日收到修改稿) 对最常用的 TiO 和 SiO 薄膜应力，包括应力模型、应力测试方法和不 同实验条件下的应力测试结果作 了研 究．基于曲率法模型，对TiO 和SiO 单层膜和多层膜进行了实验测试 ，得到了一些有价值的结果，特别是离子辅助 淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响．提出_r薄膜聚集密度是应力的重要因素，低聚集密度产生张应力， 而高聚集密度产生压应力．在多层膜中通过调节工艺参数，适当地控制张应力或压应力，可使累积应力趋向于零 ． 关键词：薄膜应力 ，离子辅助淀积，聚集密度 PACC：4280X，4278H，0630M，4285F 并没有从根本上得到解决，在某些重要的应用 中依 1．引 言 然是一个难以逾越的障碍 ． 本文主要对最常用的TiO：和 SiO 薄膜应力作 固体材料经过蒸发或溅射形成的光学薄膜 ，其 了一些研究 ，内容涉及应力模 型、应力测试方法和 应力常常是很大的．如果用相同性质的两种薄膜制 不同实验条件下的应力测试结果 ．基于曲率法模型， 成多层膜 ，其累积应力更是不可容忍的．这样大的应 对 TiO 和SiO 单层膜和多层膜进行 了实验测试 ，得 力势必导致基板弯曲变形 ，最终致使膜层光学特性 到了一些有价值 的结果，特别是 IAD和基板温度对 变化 (包括光谱漂移和散射增加等)，使力学性能急 薄膜应力的影响．提出了薄膜聚集密度是应力的重 剧降低 ，甚至导致膜层破裂 ．更为严重的是大的应力 要因素 ，低聚集密度易产生张应力 ，而高聚集密度易 会使人射光波在薄膜上反射时波前产生很大 的畸 产生压应力．在多层膜中通过适当调整工艺参数， 变，导致整个光学系统偏离设计指标 ，甚至完全不能 可望使累积应力趋 向于零 ． 工作 ． 对薄膜应力的研究涉及到机理 ¨ 、测量 2．应力模型 和抑制方法的各种探索 ¨ ．在机理研究方面 ，对 应力的起源建立了多种理论模型，包括薄膜材料热 如图 1所示 ，设截面积为 S的薄膜受到作用力 分子在基板表面的淬火效应，薄膜体积收缩产生张 F，则在 方 向上的应力盯和应变e可分别表示为 应力或膨胀产生压应力的相转移效应，薄膜内部空 盯 =F／S， 位缺陷的消除使体积收缩或粒子埋人使体积膨胀的 ￡=AL／L0． 空位消除或粒子埋入效应 ．此外，还有热收缩效应 、 应用 Hooke定律 ，应力和应变之间满足 杂质效应 、界面失配和表面张力等 ．由于薄膜产生应 口 = ． 力的机理非常复杂 ，至今并未完全搞清楚 ．在测量技 其 中E为杨 氏模量 ． 术上，主要有基片变形法和衍射法．其中前者又有悬 图2表示基板。薄膜系统中的应力．若应力处于 臂梁法、光干涉法、曲率法等．在抑制应力的方法方 平衡状态 ，则要求顺时针和逆时针的力矩相等 ，即 面 ，包括离子