电子元器件应用-双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究.pdfVIP

双极型静电感应晶体管动态性能的物理研究 四川攀枝花学院 江俊辉 摘 要: 双极型静电感应晶体管动态性能的研究体现在对动态参数的分析上，本文对开关特性，di / dt 容 量， dv / dt 容量及开关损耗等动态参数进行了详细分析，从物理的角度阐述了这几个动态参数的意义， 对实际应用有指导作用。 关键词: 物理研究；动态性能；动态参数；双极型静电感应晶体管 The Physical Research on the Dynamic Performance of BSIT Abstract: The research on the dynamic performance of BSIT manifests in to the dynamic parameter analysis. This article has carried on the multianalysis to the dynamic parameter, including switch characteristic, di / dt capacity, dv / dt capacity and switch loss, then elaborated from the physical angle these dynamic parameter significance, and has the instruction function to the practical application. Keyword: Physical research, Dynamic performance, Dynamic parameter, BSIT 1 引言 电力半导体器件是电力电子技术的基础，是电力半导体装置的心脏。电力半导体器件的 特性直接影响电力电子系统的体积、重量、价格和性能。八十年代以来，随着微电子技术的 迅速发展，微电子与电力电子在各自发展的基础上相结合产生了一代高频化、全控型的功率 集成器件。在众多的新型半导体器件当中，静电感应（SI）器件是新生发展起来的独具特色 的电力半导体器件，并且己发展成为一个相当大的 SI 家族．该家族的主要品种有功率 SIT、 超高频 SIT、微波 SIT、双极模式静电感应晶体管（BSIT ）、静电感应晶闸管（SITH）以及 静电感应集成电路（SIT－IC ）。 其中双极模式静电感应晶体管 BSIT 是将 SIT 和双极性器件 BJT 的作用综合在一起，取 各自优点而形成的一种新型器件。它具有工作频率高，频带宽，输出功率大、增益高，输入 阻抗高，容易驱动，输出阻抗低，热稳定性好等优点。由于静电感应器件电流容量大，开关 速度快，适合于作为大功率开关器件，所以在研究静电感应器件时的性能时不仅包含漏电流、 放大倍数、击穿电压等静态参数，还应包括诸如开通时间、关断时间、功率损耗等动态参数。 本文在简要分析了 BSIT的工作原理的基础上，对双极模式静电感应晶体管 BSIT 的动态 性能进行物理分析，从物理的角度阐述了 BSIT 的开关特性，di / dt 容量，dv / dt 容量及开 关损耗这几个动态参数的意义。 2 BSIT 的工作原理 BSIT 外延掺杂浓度很低，栅间距又很小，零栅压下沟道就己夹断，故通常处于常关状 态，属常关型器件。BSIT 的结构示意图如图 1 所示。 江俊辉（1971.2- ）男，汉，硕士研究生，现在从事的工作:高校基础课程（大学物理、电子 电路、电工学）教育（讲师）,专业: 物理师范教育. 通信地址: 邮编:617000 四川攀枝花学院数理教学部 图 1 BSIT 的结构示意图 通过选择合适的结构参数（栅间距、栅体扩散深度和材料的掺杂浓度等），在栅结自建 电场的作用下，耗尽层便会在沟道内充分交亚并形成足够高的电子势垒。当不加栅偏压时， 漏源电压虽对势垒的降低有一定的作用，但因沟道已处于充分夹断状态，单靠漏源电压不会 有足够的电子越过势垒形成明显的漏源电流。 栅压为负时（VGS0 ），栅沟p-n 结反偏，沟道势垒更加升高，器件处于完全夹断状态。 阻断电压VDS 给出了器件的耐压容量。VG 一定，当 VD 升高到一定值时，有微小的电流流经 器件，该电