金属绝缘体的场致发射 期刊.pdfVIP

第21卷第2期 光　电　子　技　术 Vol. 21 No. 2 　　　　 2001 年6 月 OPT OELECT RONIC TECHNOLOGY Ju . 2001 金属/ 绝缘体的场致发射 杨健君　林祖伦　成建波 ( , , 610054) 2001 1 9 本文推导了金属/ 绝缘体场致发射电流密度公式, 并 用于金刚石/ 碳薄膜场致发射, 对其现象获得较好的解释, 同时指出了提高发射电流密度的因素 和相 方法。 场致发射　金属/ 绝缘体　FED/ FEA　金刚石/ 碳薄膜 + : T N873 . 95 : A : 1005-488X( 2001) 02-0125-04 1　引　言 / FED , , : ( 111) ( NEA ) [ 1] ; / FED , Spi dt [ 26] [ 2, 7, 8] / FEA , : ( ) / , ; , / 2　金属/ 绝缘体场致发射 / 1 , / B [ 1/ Schottky ) ] , . 1 / Fig The metal i sulator field emissio model , x [ 2] , B T , Mott Gur ey x , 27 , , 50 , , 62 , 126 21 , Fow ler-Nordheim , , s : f s c f = n/ N ( 1) ; c ; s n N f Mott Gur ey / [ 2] : n = n(x) = n( 0) ( 1 + x/ ) - 2 ( 2) - 2 2 = 2n( 0) q / ( 0rkT) ( 3) 2 3/ 2