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一 种新型离子束刻蚀装置的研制 张冬艳 ，陈特超 f中国电子科技集团公司第四十八研究所 ，湖南长沙 410111) 摘 要：介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点：工件台可进行二维运动 ，带有 自动挡板机构和独立的测束装置．中国电子科技集 团公司第四十八研 究所研制的平行束离子源， 以及分子泵加机械泵的真空系统 工艺试验结果表明，该设备是一台先进的半导体工艺设备 ，性 能稳定 ．刻蚀均匀性可达 ±4％ 关键词 ：离子束 ；刻蚀 ；均匀性 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004-4507(2010)01—0034—03 DevelopmentofaNovelApparatuson IonBeam Etching ZHANG Dongyan，CHEN Techao (The48thResearchInstituteofCETC，ChangSha410111，China) Abstract：A new-typedeviceoftheionbeam etchingisintroduced．Thedeviceiswiththefollowing characteristics：theworkpieceplatform canturnintwo—dimension，theautomaticbaffleplateandtest- ingbeam currentisequipped，theVeecoionbeam sourcedevelopingby48thinstiutteandthevacuum system withtheturbomolecularpumparealsousedinthisdeviceforthefirsttime．Theexperimental resultsshow thatthisdeviceisaprogressiveapparautsofthesemi--conductortechnologyandtheuni-- ofrm degreeofetchingislessthan4-4％． Keywords：Ionbeam ；Etching；Unifomr ity 离子束刻蚀是一种典型的对样品表面以原子、 的发展，提高刻蚀设备的功能，满足国内外用户的需 分子为单位进行剥离的微细加工工艺和超精密加 求，本文就中国电子科技集团公司第四十八研究所 工方法 ，在微 电子工业 中有广泛 的应用前景，在微 研制的离子束刻蚀机中的二维运动工件台、自动挡 机械的制造 中已成为不可缺少的工艺手段[1】。 板机构和独立的测束装置及平行束离子源作介绍。 离子束刻蚀设备国外在 20世纪70年代初期就 已有设备的雏形，发展至今已是成熟的商业化产品， 1 设备工作原理 国内在 20世纪 80年代初开始 自行研制并生产单 束、单片加工的离子束刻蚀机l2J。为适应半导体工艺 离子束加工是在真空条件下，将氩 (Ar)、氪 收稿 日期 ：2009-12-27 - 电 子 工 业 毫 用 设 吾 Ipl嘞 如 阻ecllIl妇Pl-0I a【|lⅡ嘶抛 ·光刻与刻蚀 · (Kr)、氙 (xe)等惰性气 体通过离 子源 产生离 子 束 ，经加速 、集束 、聚 焦后 ，轰击被加工件 的表 面 ，即当离子束轰击加工表面 的能量超过加工表 面材料 的原子结合能时，加工表面材料 的原子 (或分子)被溅射 出来，以达到去除表面材料的 目 的。 自转方 向 偏移方 向 离子束流 离子源 图 2 工件 台二维运动示意 图 2 设备结构及特点