一种0．9V低电压低本振功率CMOS有源混频器.pdfVIP

第50卷 第 1期 电讯技术 Vo1．50 No．1 2010年 1月 TelecommunicationEngineering Jan．2010 文章编号：1001—893X(2010)01—0093—05 一 种0．9V低电压低本振功率CMOS有源混频器 韦保林 ，戴宇杰 ，张小兴 ，吕英杰 (1．南开大学 微电子学研究所，天津 300457；2．桂林电子科技大学 信息与通信学院，广西 桂林 541004) 摘 要：设计了一种可工作于0．9V低电压和一5dBm本振功率的CMOS有源混频器。通过在MOS 管栅极和衬底间引入耦合电容，利用衬底效应加快MOS管的导通和截止，使开关对的开关状态更理 想，有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性。采用0．18IxmCMOS工艺设计，在2．45GHz本振 信号和2．44GHz射频信号输入下，实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指 标：电压转换增益为 l2．4dB，输入三阶截断点为一0．6dBm，输入 1dB压缩点为一3．4dBm，单边带 噪声系数为 l2dB。 关键词：CMOS有源混频器；衬底效应；低电压；低本振功率 中图分类号：TN432 文献标识码 ：A doi：10．3969／j．issn．1001—893x．2010．01．018 A 0．9V Low VoltageLow LO PowerCMOSActiveM ixer WEIBao—lin ，DAIYu—fie，ZHANGXiao—xing，LVYing一 (1．InstituteofMicroelectronics，NankaiUniversity，Tianjin300457，China；2．CollegeofInformation andCommunication，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin541040 ，China) Abstract：A CMOSactivemixerwhichcanoperateat0．9V low supplyvoltagesand 一5dBm low localOS． cillator(LO)powerisproposed．AcapacitorisintroducedbetweenthegateandbodyofeachMOSFET，SO thebodyeffectimprovesthepinch—onandoff speedoftheMOSFETmakestheswitchingpairsswitch quickly，thusimprovingthenoiseandlinearityperformanceofthemixer．The0．18 m CMOStechnoloyg is adoptedinthedesign．with2．45GHzLO inputand2．44GHzRF input．Experimentresultsshow thatthe proposedmixercanachievemixingeffectivelyandhasgoodspecification：thevoltageconversiongainis12．4dB andtheinput—referredthird—orderinterceptpointiS 一0．6dBm．theinput—referred 1dB compression pointiS一3．4dBm．thesingleside—bandnoisefigureiS12dB． Keywords：CMOSactivemixer；bodyeffect；lowvoltage；lowlocaloscillator(LO)power 满足接收机的性能要求 ，甚至有些电路结构不能正 1 引 言 常工作，因此，低工作电压电路结构的研究显得越来