AlGaInP／GaInP多量子阱MOCVD外延片光学特性测试.pdfVIP

第 49卷 第 l期 厦门大学学报 (自然科学版) VoL49 No．1 2010年 1月 JournalofXiamenUniversity(NaturalScience) Jan．2010 AlGaInP／GaInP多量子阱MOCVD外 延片光学特性测试 王雅芳 ，罗 键 (厦门大学信息科学与技术学院，福建 厦门361005) 摘要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了不同周期的四元合金半导体材料A1GaInP／GaInP多量子阱 (MQW)外延片，通过实验找到了在周期数和阱／垒宽度 比等结构参数上生产 A1GaInP／GaInPMQW 的比较理想的结 果．对常温下A1GaInP／GaInPMQW外延片的光学性质进行深入 的分析和实验研究，发现当阱 ／垒宽度 比n一0．56时，出 光强度趋于饱和，当周期数 目N=2O时，FWHM减小到 l1．9rim，可在一定程度上达到改善 MQw结构设计和提高材料 生长质量 的目的． 关键词 ：AlGaInP／GaInP；MQW；拉曼光谱；金属有机物化学气相沉积 中图分类号：TN305 文献标识码 ：A 文章编号：0438—0479(2010)一01，0026—04 AlGaInP／GalnP多量子阱外延片是 目前实现红 构设计的数据，对质量控制有重要的指导意义．我们用 光发光的最重要材料，红光是三基色之一 ，是 目前研究 MOCVD技术生产 了(AI~Ga一)InP／GaInP多量子阱 的热点之一L1]．用 A1GaInP材料作为有源区的红光发 结构材料，并对其 PL特性进行 了分析． 光二极管(LED)早已经开始商业化生产 ，在商业化生 1．1 PL测试 产 的 同时，进 一 步 提 高 LED 的 AlGaInP／GaInP 运用面扫描技术可 以得到外延片上任一点的 MQW 的研究工作也在一直进行． PLS，求出光谱的峰值波长、PL信号强度、半峰宽和最 半导体处延基片的制作是 LED生产链中最关键 、 大半峰波长等光学参数 ，对其进行 PL及 出光强度的 最重要 的阶段．金属有机物化学气相沉积 (Metalor— 测量 ，发现 MQw 结构 的周期数和阱／垒的宽度 比对 ganicchemicalvapordeposition，MOCVD)将有机金 MQW 的发光性质有重要的影响． 属以气体形式扩散至基板促使品格表面粒子凝结[2]． 1．2 实验及结果 X射线双晶衍射测试、电化学 C—V测试 、光致发光 (光 我们用 DoubledYAG作为激光源，波长为 532 荧光)测试和拉曼测试，是 AlGalnP／GaInPMQW[3] nm，激光器的出射功率为 20mw ，温度 300K时测量 结构外延基片研制过程中4种常用的测试手段． 的光荧光谱．可看出(图 1)，在波长 一647．8nm存在 半导体材料的发光特性根据激励方式的不同分为 一 个强发光峰，而A=861．6nm处存在一个弱发光峰． 光致发光 (PL)、电致发光和阴极发光等．尽管在发光 用 M0CVD 技术生长 的(A1Ga1一)InP／GalnP 器件中直接起作用的是 电致发光 ，但就了解材料发光 多量子阱结构的PL谱 中，波长 一647．8nm处的强 特性而言，光致发光光谱 (PLS)的测试以其简