3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位.docVIP

3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA＝－9 V，VB＝一6 V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解 由于锗BJT的|VBE|≈0.2V，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的VB＝一6 V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的VA＝－9 V，故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C是基极，且此BJT为PNP管。 3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设各电容的容抗可忽略） 解 图题3．2．la无放大作用。因Rb=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号vi被短路。 图题3．2．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。 图题3．2．lc无交流放大作用，因电容Cbl隔断了基极的直流通路。 图题3．2．id无交流放大作用，因电源 Vcc的极性接反。 3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。 （a）VC＝6 V VB＝0.7 V VE＝0 V （b）VC＝6 V VB＝2 V VE＝1.3 V （c）VC＝6 V VB＝6V VE＝5.4 V （d）VC＝6 V VB＝4V VE＝3.6 V （。）VC＝3.6 V VB＝4 V VE＝3. 4 V 解（a）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。 （b）放大区，VBE＝（2—l．3）V＝0．7 V，VCB＝（6－2）V＝4 V，发射结正偏，集电结反偏。 （C）饱和区。 （d）截止区。 （e）饱和区。 3.3.5 设输出特性如图题 3．3．1所示的 BJT接成图题 3．3.3所示的电路，具基极端上接VBB＝3．2 V与电阻Rb＝20 kΩ相串联，而 Vcc＝6 V，RC＝200Ω，求电路中的 IB、IC和 VCE的值，设 VBE＝0．7 V。 解 由题3．3．1已求得β＝200，故 3.3.6 图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求： （1）电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；（2）电阻Rb、RC的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 解 （1）由图3．3．6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的大小，故Vcc= 6 V。 由Q点的位置可知，IB ＝20μA，IC＝1 mA，VCE＝3 V。 （2）由基极回路得： 由集－射极回路得 （3）求输出电压的最大不失真幅度 由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压vCE从3V到0．8V，变化范围为2.2V；在输入信号的负半周，输出电压vCE从3V到4．6V，变化范围为1．6V。综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1．6V。 （4）基极正弦电流的最大幅值是20 μA。 3.4.1 画出图题3.4.1所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。 解 图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解3.4.1所示。 3.4.2单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β＝50。（1）估算Q点； （2）画出简化 H参数小信号等效电路；（3）估算 BJT的朝人电阻 rbe；（4）如输出端接入 4 kΩ的电阻负载，计算及。 解（1）估算Q点 （2）简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 （3）求rbe （4） 3.4.5 在图题3.4.5所示电路中设电容C1、C2、C3对交流信号可视为短路。（1）写出静态电流Ic及电压VCE的表达式；（2）写出电压增益、输人电或Ri．和输出电阻Ro的表达式；（3）若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？ 解（1）Ic及VCE的表达式 （2）、Ri．和Ro的表达式 （3）C3开路后，将使电压增益的大小增加 同时Ro也将增加，。 3.5.2 如图题3.5.2所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？ 解 图题3.5.2a所示电路能稳定Q点，过程如下： 图题3.5.2b所示电路不能稳定Q点，因为 3.5.4 电路如图3.5.4所示，设β＝100，试求：（1）Q