晶向偏离硅衬底上GaN材料特性及位错与研究.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，GaN基LED在晶体生长、薄膜生长和器件制各等技术方面己取得 重大突破，并已被广泛应用到景观照明和背光显示等领域，但距离真正进入巨 大的家庭照明市场还有很长一段路要走，还需进一步提高器件的光电性能和降 低价格。与常用的GaN异质外延衬底蓝宝石和SiC相比，Si衬底具有价格便宜、 工艺成熟、易获得大尺寸和容易去除以制备垂直器件等优势，同时Si衬底也存 在一些缺点，即与GaN材料之间存在巨大的晶格失配和热失配，这使得在外延 生长的GaN材料中存有大量的失配位错，进而影响LED器件的光电性能。近年 来本实验室虽已成功研制出Si衬底GaN基LED并推向了产业化，也打破了原 有的LED市场格局，但Si衬底LED器件外延生长和器件制备方面还有许多工 作要做，例如Si衬底的晶向切偏角对GaN薄膜质量的影响尚未进行深入的研究， 而对于Si衬底GaN薄膜的位错研究也较少。 故本论文主要在两方面做了一定的研究：一是在精确测量Si衬底的晶向切 偏角的基础上，研究了衬底切偏角度对Si衬底GaN基LED外延膜的影响；二 是研究了不同Si衬底上GaN外延膜的位错。主要获得了以下成果： 1)+2。三种衬 1、利用X射线衍射法对Si(111)、Si(111)+1。和Si(11 底的晶向进行了精确测定，在证实了本实验中三种衬底的切偏角不会影响下一 步研究工作的同时，也成功将这种方法利用到了LED领域。 2、研究了衬底切偏角度对Si衬底GaN基LED外延膜生长的影响，利用 XRD、AFM和荧光显微镜等测试手段对外延膜的晶体质量、应力应变、表面形 貌和量子阱信息四个方面进行了表征，结果表明：Si(111)+1。衬底上的外延 膜在晶体质量、应力应变和小范围内表面平整度等方面与Si(111)不偏衬底相 当或更好，而在大范围内表面平整度和量子阱中In组分均匀性方面稍差，而Si (111)+2。生长的外延膜质量明显变差。由此可以推断切偏角度在小于1。之 内是合适的衬底取向范围，在此范围优选衬底取向应可提高外延膜质量。 进行了研究，根据XRD测试结果计算得出上述三种样品的位错密度分别为 II 捅要 1．5715×109、2．0257×109和1．0399X 109。但Si(110)高阻衬底上的外延膜在 XRD测试结果中半峰宽最大，且计算结果显示螺位错密度大于刃位错密度，本 文推测其与Si(110)高阻衬底的掺杂有一定关系。 4、利用H3P04腐蚀液对上述三种样品的位错密度进行了研究，首先探究了 每组样品的最佳腐蚀时间和温度，在此基础上对腐蚀坑的尺寸大小和形状特性 进行了观察。 关键词：Si衬底；切偏角；GaN位错；H3P04腐蚀法 IIl Abstract ——————————————————————————————————————————————一——_ Abstract numberof Recently,a major have technoligical beenmadeinthe breakthroughs and device crystalgrowth fabricationofGaN based ithasbeen LED，and wid