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第5章 非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合 半导体的热平衡状态：半导体不受除温度以外的外界条件作用的状态，载流子浓度是一定的， 只和温度有关。n0·p0= Nc·Nv e（-Eg/ k0T）。 平衡载流子：处于热平衡状态下的载流子。 平衡载流子浓度：处于热平衡状态下的载流子浓度。 非平衡状态：半导体受到外界条件作用，处于偏离热平衡的状态。 非平衡载流子：半导体处于非平衡状态时，比平衡状态多出来的这部分载流子。过剩载流子。 非平衡载流子浓度：比平衡状态多出来的这部分载流子的浓度。 画图：P 117：光注入。 非平衡多数载流子：非平衡状态下产生的与半导体多数载流子类型相同的非平衡载流子。ΔnΔp n型：非平衡多数载流子：非平衡电子。 P型：非平衡多数载流子：非平衡空穴。 非平衡少数载流子：非平衡状态下产生的与半导体少数载流子类型相同的非平衡载流子。 n型：非平衡少数载流子：非平衡空穴。 P型：非平衡少数载流子：非平衡电子。 在小注入情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的平衡载流子浓度小很多。 电阻率为1Ω·cm的n型Si中，n0≈5.5×1015cm-3; p0≈3.1×104cm-3; Δn =Δp=1010cm-3，Δn《n0; Δp是p0 的106倍，Δp》p0。 非平衡少数载流子浓度往往比平衡少数载流子浓度大很多。非平衡少数载流子起重要作用。非平衡载流子一般指非平衡少