缺陷引起的可靠性和成品率关系研究.pdfVIP

2011年 1月 15日 第 34卷第 2期 现代电子技术 Jan．2011 M odernElectronicsTechnique Vo1．34No．1 缺陷引起的可靠性和成品率关系研究 陈伟权 ，李本亮，贾明辉 (广东省东莞市质量监督检测中心 ，广东 东莞 523808) 摘 要 ：为 了在满足最低可靠性要求的同时尽量提升 Ic的成品率，基于缺陷的泊松分布模型及 负二项分布模型研究了 由缺陷引起的Ic可靠性和成品率这两者之间的关系，并分别建立了相应的成品率一早期可靠性关系模型。基于成品率一可靠 性模型，针对氧化层缺陷模型，采用模拟运算的方法，得到了随时间变化的成品率一可靠性关系模型。模型表明，在满足最低 可靠性要求的同时，合理设计老化实验参数 ，可以最大限度地提高成品率 ，降低 Ic制造成本 。最后根据这一模型对 Ic老化 筛选实验 的参数选择提 出了优化 的建议。 关键词 ：缺 陷；可靠性 ；成品率；老化 中图分类号 ：TN432-34 文献标识码 ：A 文章编号：1004—373X(2011)02—0096—03 RelationshipBetweenYieldandReliabilityCausedbyDefects CHEN Wei—quan，LIBen-liang，JIAMing—hui (GuangdongDongguanQualitySupervisionTestingCenter，Dongguan523808。China) Abstract：InordertomaximizetheyieldofICandmeettheminimum reliability，therelationshipbetweenreliabilityand yieldofIC basedonthePoissonandnegativebinomialdistribution isstudied，andthenthemodelofyieldandearlyreliability isconstructedrespectively．Basedonthismodelandthemodelofoxidedefect，amodelofyieldandearlyreliabilityvarying withtimeisobtainedbythesimulationmethod．Themodelpresentsthatyieldcanbeenhancedandreliabilitycanbesatisfied bydesigningproperburn—inparameters，whichcandecreasethecostoftheIC manufacturing．Theparameterchoiceofburn- inscreeningtechnologyunderthemodelofreliabilityandyieldisproposed． Keywords：defect；reliability；yield；burn-in 艺开始时的器件数之 比。主要分为 3种 ：参数成品率 、 0 引 言 系统成品率和随机成品率。器件 中存在两种可靠性问 随着集成电路进入到超深亚微米阶段 ，可靠性和成 题 ：固有失效和非 固有失效。其中随机成品率和非固有 品率之间的矛盾 日渐突出。用户希望得到高可靠性 的 失效都是由随机缺陷引起 ，主要集中在浴盆曲线 的第一 产品(需要制造商充分 的老化筛选)，而制造商则希望尽 阶段 。对各种半导体器件 的研究表 明_l5]，在缺陷密度 可能高的提高成品率以减少成本 ，因此