9.化学气相沉积1.pptVIP

化学气相沉积 目 录 化学气相沉积是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 常用三种CVD技术优缺点 CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。 用于CVD技术的通常有如下所述几种反应类型。 CVD技术的热动力学原理 化学气相沉积的五个主要步骤： (a)反应物扩散通过界面边界层； (b)反应物吸附在基片的表面； (c)化学沉积反应发生； (d) 部分生成物扩散通过界面边界层； (e)生成物与反应物进入主气流里，并离开系统 1.输送现象 热能传递主要有传导、对流、辐射三种方式 单位面积的能量辐射=Er=hr（Ts1- Ts2） 两种常见的流体流动方式 体流经固定表面时所形成的边界层δ及δ与移动方向x之间的关系 CVD动力学 显示以TEOS为反应气体的CVDSiO2沉积的沉积速率与温度之间的关系曲线 ◆ 前者成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散效应来通过边界层并进入主气流里。 化学气相沉积作为20世纪60年代初前后迅速发展起来的一种无机材料制备技术，由于他设备简单，成本低廉，因而广泛用于高纯物质的制备、合成新晶体及沉积多种单晶态、多晶态无机功能薄膜材料。 随着半导体工业的发展，物理气相沉积被广泛运用于金属镀膜中。 ◆用CVD涂覆刀具能有效地控制在车、铣和钻孔过程中出现的磨损，主要应用于硬质台金刀具和高速钢刀具。 ◆使用的涂层为高耐磨性的碳化物、氮化物、碳氮化合物、氧化物和硼化物等涂层。 ◆ TiN与金属的亲和力小，抗粘附能力和抗月牙形磨损性能比TiC涂层优越，因此，刀具上广泛使用的是TiN涂层。 在许多特殊环境中使用的材料往往需要有涂层保护，以使其具有耐磨，耐腐蚀，耐高温氧化和耐辐射等功能。 在超大规模集成电路中，化学气相沉积可以用来沉积多晶硅膜，钨膜、铅膜、金属硅化物，氧化硅膜以及氮化硅膜等，这些薄膜材料可以用作栅电极，多层布线的层间绝缘膜，金属布线，电阻以及散热材料等。 在光学领域中，金刚石薄膜被称为未来的光学材料，它具有波段透明和极其优异的抗热冲击、抗辐射能力，可用作大功率激光器的窗口材料，导弹和航空、航天装置的球罩材料等。 金刚石薄膜还是优良的紫外敏感材料。CVD金刚石薄膜制备技术应用于工模具， ◆以CVD的操作压力来区分，CVD可以分为常压与低压两种。 ◆以反应器的结构来分类，则可以分为水平式、直立式、直桶式、管状式烘盘式及连续式等。 ◆以反应器器壁的温度控制来评断，也可以分为热壁式（hot wall）与冷壁式（cold wall）两种。 ◆若考虑CVD的能量来源及所使用的反应气体种类，将CVD反应器划分为等离子增强CVD(plasma enhanced CVD，或PECVD)，TEOS-CVD，及有机金属CVD(metal-organic CVD，MOCVD)等。 低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)以下的一种CVD反应。 利用在低压下进行反应的特点，以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力（保型覆盖的能力 ） 。 因为气体分子间的碰撞频率下降，使气相沉积反应在LPCVD中变得比较不显著，LPCVD法的薄膜沉积速率比较慢一些 。 在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行。 在MOCVD过程中，金属有机源（MO源）可以在热解或光解作用下，在较低温度沉积出相应的各种无机材料，如金属、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。。 激光化学沉积就是用激光诱导促进化学气相沉积。激光化学气相沉积的过程是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的过程。 按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。激光热解沉积用波长长的激光进行，如CO2激光、YAG激光、Ar+激光等，一般激光器能量较高、激光光解沉积要求光子有大的能量，用短波长激光，如紫外、超紫外激光进行，如准分子XeCl、ArF等激光器。 化学气相沉积生产装置 LPCVD反应器本身是以退火后的石英所构成，环绕石英制炉管外围的是一组用来对炉管进行加热的装置，因为分为三个部分，所以称为“三区加热器”。气体通常从炉管的前端，与距离炉门不远处，送入炉管内（当然也有其他不同的设计方