实验四 霍尔法磁.docVIP

实验四 霍尔法测磁场 【 实验目的 】 1. 掌握霍尔元件的工作原理。 2. 学习用霍尔效应测量磁场的原理和方法。 3. 掌握螺线管内磁感应强度与位置之间的关系。 4. 掌握螺线管内磁感应强度与通电电流强度间的关系。 【 实验仪器 】 螺线管磁场测试仪、长直螺线管磁场装置、双刀换向开关、稳压电源、导线等 【 实验原理 】 霍尔元件是一块矩型半导体薄片，设其长为L 宽为b，厚为 d，放入磁场中，磁场方向与薄片垂直。在半导体薄片上沿垂直于磁场B的方向通以恒定电流Is，这时磁场对半导体片中定向迁移的载流子（电子或空穴）就有洛伦兹力的作用。设载流子的电荷为q，漂移速度为ν，则洛伦兹力的大小及方向可以写为 在洛伦兹力的作用下，载流子的运动方向发生偏转，使电荷在半导体片的相对两侧面 P及Q上聚集起来，两侧面之间将出现电势差UH,即霍尔电压。 在霍尔效应中，载流子在薄片侧面的聚集不会无限的进行下去，因为侧面聚集的电荷在薄片中形成横向电场。设电场强度为E，方向由C 指向H ，此电场对载流子的作用力大小为 可以看出，电场力的方向与洛伦兹力的方向相反。当 两力达到平衡状态，在半导体片中形成一个稳定的电场。此时半导体片中的横向 电场强度为 两侧面的霍尔电压也达到一稳定值 设n为半导体片中载流子浓度，则 可以得到 RH称为霍尔系数，单位为毫伏· 毫米/毫安· 千高斯（mV · mm/mA· kGS）。 KH称为霍尔元件的灵敏度，其单位是毫伏/ 毫安· 千高斯(mV/mA · kGS) 。 ? 应该指出上式是在假定理想情形下得到的。实际测量时测得的值并不只是UH，还包括了其它因素带来的附加电压，因而根据UH计算出的磁感应强度B也不准确。 主要的附加电压是由于电极位置不对称产生的电势差（不等位电势）：因为制作霍尔元件时很难使A,A′ 两点在同一等位面上，因此即使不加磁场，只要有电流Is通过，就有电势差U0产生，U0=IsR（R是A,A′所在的两个等势面之间的电阻），U0的正负与流过霍尔片的电流Is的方向有关，与磁场无关。因此可以通过改变Is的方向予以消除。 ? ? 霍尔片示意图 霍尔元件伴随霍尔效应还存在几种附加效应： a) 厄廷豪森（Etinghausen）效应（温差电效应）：由于霍尔片中载流子的速度不同，若速度为u的载流子所受的洛仑兹力与电场力相等，则速度大于或小于u的载流子在电场和磁场的作用下，将各自向不同方向偏转，从而在 Y方向引起温差，由此产生温差电效应，在电极A,A′上引起附加电压UE 。且UE(IsB，UE的正负与Is、B 的方向的关系与UH相同。因此不能用改变Is和B方向的方法予以消除。但是其引起的误差很小，可以忽略。 b) 能斯脱（Nernst）效应（热磁效应）：由于给霍尔片加电流Ic的两条引线的焊点D 、E电阻不等（见图7-5-2 ），通过电流后在接点处产生不同的焦耳热，造成在X 方向有温度梯度，载流子沿梯度方向扩散而产生热扩散电流，在磁场的作用下，类似于霍尔效应在Y方向产生附加电场，相应的电压为UN 。UN的正负与磁场B的方向有关，与IS的方向无关。因此可以通过改变B 的方向予以消除。 c) 纪-勒杜克（Righi-Leduc）效应（热磁效应产生的温差）：如b)中所述的X方向热扩散电流，由于热扩散电流的载流子的迁移率不同，在Z方向磁场B作用下，绕不同的轨道偏转，在Y方向形成温度梯度。该温度梯度引起A 、C间出现温差电压UR。UR的正负只与磁场B方向有关，与IS的方向无关。因此也可以通过改变B 的方向予以消除。 于是，实验操作中很重要的一项就是附加电压的消除。综上所述，我们测量霍尔电压时，除UH 以外还包括上述四种附加电压，除UE外其余都可以通过改变IS或B的方向来消除。 【 实验内容 】 本实验包括两部分内容：1、测量螺线管内部磁场随螺线管通电电流的变化情况。 2、测量螺线管内部磁场随轴线的分布情况。 具体操作步骤如下： 把稳压电源上数字电压表和数字电流表的旋钮调零，即旋至最左端。断开螺线管测试仪上所有的开关。 如下图连接仪器 左面数字直流稳流源的“励磁恒流输出”端接电流换向开关，然后接螺线管的线圈接线柱。右面稳压电源4.8V—5.2V的输出接线柱(红)接霍耳元件的V＋(即引脚2－红色导线)，直流稳压电源的(黑)接线柱接霍耳元件的V-(即引脚3－黑色导线)，霍耳元件的VOUT（引脚1－黄色导线）接右边电压表‘电压输入’的＋(红)接线柱，电压表的－(黑)接线柱与直流稳压源的(黑)接线相连。电压表切换到V档(即拨动开关向上拨)。 3、检查接线无误后接通电源，