电离辐射对人鼻咽癌细胞株CNE2Z体外表达血管内皮生长因子的影响_医学论文.docVIP

电离辐射对人鼻咽癌细胞株CNE2Z体外表达血管内皮生长因子的影响_医学论文.doc

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电离辐射对人鼻咽癌细胞株CNE2Z体外表达血管内皮生长因子的影响_医学论文 电离辐射对人鼻咽癌细胞株CNE2Z体外表达血管内皮生长因子的影响_医学论文 【摘要】 目的 探讨电离辐射对人鼻咽癌细胞体外表达血管内皮生长因子(VEGF)的影响。方法 人鼻咽癌细胞株CNE置RPMI 1640培养液培养,实验分为两组,剂量梯度组分别给予2、4、6、8、12、16 Gy电离辐射;时间梯度组给予6 Gy照射;收集细胞上清液,双抗体夹心ELISA法测定VEGF表达水平。结果 与阴性处理细胞比较,人鼻咽癌细胞株CNE体外接受不同剂量辐照后,VEGF表达明显增高,且具有剂量依赖性和时程依赖性。结论 电离辐射能诱导人鼻咽癌细胞VEGF高表达,这可能是临床肿瘤抗辐射的机制之一。 【关键词】 电离辐射;鼻咽癌细胞;血管内皮生长因子   【Abstract】 Objective To investigate the effects of ionizing radiation (IR) on vascular endothelial growth factor (VEGF) expression in nasopharygeal carcinoma cells.Methods CNE2Z nasopharygeal carcinoma cells were maintained in RPMI 1640 medium and exposed to IR in incremental doses of 2,4,6,8,12,16 Gy. These cells were cultured different time after exposure, and the media were harvested for measurement of VEGF protein levels by ELISA. Results Exposure of CNE2Z cells to IR induced significant upregulation of VEGF expression. VEGF levels exhibited an IR  and timedependent increase in comparison with the control unirradiation cells. Conclusion IRmediated induction of VEGF in nasopharyngeal carcinoma cells may contribute to clinically tumour radioresistance.   【Key words】 ionizing radiation, nasopharyngeal carcinoma, VEGF   鼻咽癌是我国常见的恶性肿瘤之一,放射治疗是其首选的治疗手段,局部复发和远处转移仍是治疗失败的主要原因。恶性肿瘤的生长和转移依赖于血管生成,血管内皮细胞生长因子(vascular endothelial growth factor, VEGF)是最重要的与血管生成有关的因子 [1]。在放射治疗过程中,有关VEGF表达变化的研究国内少有报道,对此,我们初步探讨如下。   1 材料与方法   1.1 细胞培养及照射 取对数生长期细胞制成1×105/ml单细胞悬液,2 ml/孔接种于六孔板中,待细胞贴壁后(约12 h),采用Siemens直线加速器6 MeV X射线,吸收剂量率2 Gy/min,源皮距100 cm,射野大小10 cm×20 cm,从下向上照射。实验分为两组:剂量梯度组分别给予0、2、4、6、8、12、16 Gy照射;时间梯度组给予6Gy照射。   1.2 条件培养液的收集 剂量梯度组于照射后24 h,时间梯度组于照射后0、12、24、36、48 h时间点终止培养,收集细胞培养液,转移至1.5 ml Eppendorf管,4℃,2 000 r/min离心5 min,吸取上清液-20℃冷冻保存备用。   1.3 条件培养液VEGF浓度的测定 采用双抗体夹心ELISA法测定细胞上清液VEGF。人VEGF ELISA试剂盒购自中杉生物工程公司,具体操作按说明书进行。   1.4 数据分析与统计 实验数据资料统计采用统计学软件SPSS 10.0进行单因素方差分析。   2 结果      不同剂量射线照射24 h后,CNE细胞VEGF的表达均增高。4 Gy时最高,后随剂量的增加有所下降,与对照组0 Gy比较,差异均有显著性(0),见表1。   表1 不同剂量照射24 h后CNE细胞培养液中VEGF浓度 略   6 Gy照射后,各时间点条件培养液

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