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半导体大题1.doc
已知硅具有金刚石结构，实验测得其晶格常数a=0.543nm,试求其原子密度。
2)掺磷的N型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费 位置和磷的浓度。
3)光均匀照射在6Ω·cm的n型硅样品上，电子—空穴对的产生率为4×1021cm 寿命为8μS。试计算光照前后样品的电导率。
试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/v·s和500cm2/v·s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电本征Si的电导率增大了多少倍？
若锗中施主杂质电离能Ed?=0.01eV，施主杂质浓度分别为Nd=31410?cm及31710?cm。计算1、99%电离；2、90%电离；3、50%电离时温度各为多少？
注：NC= =2×1015(T3/2/cm3)
6)已知锗具有金刚石结构，实验测得其晶格常数a=0.566nm.试求其原子密度。
7)某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=(EC+ED)/2时施主的浓度。(Nc同5))
解：n0=ND+
8)用强光照射n型半导体样品，假定光被均匀的吸收，产生过剩载流子， Gp，空穴寿命为τ。
1.写出光照下过剩载流子浓度所满足的方程2求出光照下达到稳定状态时的过剩载流子浓度
9)对于晶格常数为2.5×10－10m的一维晶格，当外加电场为106V/m时，试 自能带底运动到能带顶所需的时间。
在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度Nd=1014cm-3，受主杂质浓度Na=7×1013cm-3，设室温本下本征锗材料的电阻率为ρi=60Ω·cm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3800cm2/(V·s)，μp=1800cm2/(V·s)，若流过样品的电流密度为52.3mA/cm2，求所施加的电场强度。
11)假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm﹣3，试计算 下空穴的扩散电流密度。
12)证明非平衡载流子的寿命满足△p(t)=△p0e－t/τ,并说明式中各项的物理意义。
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