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电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。 　　半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。　不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 　　电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。 　　空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 　　本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 　　载流子：运载电荷的粒子称为载流子。 　　导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 　　本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 　　本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 　　复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 　　动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。 　　载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。 　　结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。 　　杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。 　　N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 　　多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。 　　少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。 　　　N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。 　　P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。 　　多子：P型半导体中，多子为空穴。 　　少子：P型半导体中，少子为电子。 　　受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。 　　P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。 　　结论： 　　多子的浓度决定于杂质浓度。 　　少子的浓度决定于温度。 　　PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。 　　PN结的特点：具有单向导电性。