半导体能带理论.docVIP

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半导体能带理论.doc

一.? 前言 光子晶体也许现在的你对光子晶体这个名字并不熟悉,然而正如20世纪初人们对硅这种半导体材料的懵懂一样,也许在21世纪末的时候,你将对这个名词耳熟能详。因为,到时从你的书桌上摆着的高速个人电脑(上百甚至上千G Hz的运算速度),到快速而便捷的网络设施,甚至直至你家中能够根据室内实际温度自动开关调节的空调系统,都可能要得益于这种前途光明的新型材料的伟大功劳。光子晶体是一个很前沿的话题,同时它也是一个很深奥的物理概念。要想把光子晶体解释清楚,并不是一件容易的事。但是要想了解它,可以先从它产生的背景说起。我们现在都知道,半导体在我们的生活中充当了重要的角色。利用它的一些区别于导体和绝缘体的特殊的性质,人们制造出了许多的现代固体电子与光电子器件。收音机、电视、计算机、电话、手机等等无一不再应用着半导体制成的芯片、发光二极管(LED)等等元件。而给我们带来这么多便利的半导体材料大多是一些晶体。 二.晶体知识. 晶体和半导体中所谓的晶体,是指内部原子有序排列,形成一种周期性的重复结构,而往往就是这些重复性的结构存在,才决定了半导体的特殊性质。晶体又分单晶和多晶:单晶——在一块材料中,原子全部作有规则的周期排列,由于内部的有序性和规则性,其外形往往是某种规则的立体结构。?多晶——只在很小范围内原子作有规则的排列,形成小晶粒,而晶粒之间有无规则排列的晶粒界 [j ,HSOv)? 隔开。我们熟悉的硅、锗等晶体就属于单晶。半导体分类:半导体可分为本征半导体、P型半导体、N型半导体。本征半导体:硅和锗都是半导体,而纯硅和锗晶体称本征半导体。硅和锗为4价元素,其晶体结构稳定。?P型半导体:P型半导体是在4价的本征半导体中混入了3价原子,譬如极小量(一千万之一)的铟合成的晶体。由于3价原子进入4价原子中,因此这晶体结构中就产生了少一电子的部分。由于少一电子,所以带正电。P型的“P”正是取“Positve(正)”一词的第一个字母。N型半导体:若把5价的原子,譬如砷混入4价的本征半导体,将产生多余1个电子的状态结晶,显负电性。这N是从“Negative(负)”中取的第一个字母。 二极管的原理:如图一是未加电场(电压)的情况P型载流子和N型载流子随机地在晶体中。若在图二中的N端施加正电压,在P端施加负电压,内部的载流子,电子被拉到正电压方,空核被拉到负电压方,从而结合面上的载流子数量大大减少,电阻便增大了。如图三加相反电压,此时内部载流子通过结合面,变得易于流动。换言之电阻变小,电流正向流动。请记住:二极管的正向导通是从P型指向N型,国际的标法是:三角形表示P型,横线是N型。二极管在0.6V以上的电压下电流可急剧移动,反向则无! 三.能带理论能级(Enegy Level) 在孤立原子中,原子核外的电子按照一定的壳层排列,每一壳层容纳一定数量的电子。每个壳层上的电子具有分立的能量值,也就是电子按能级分布。为简明起见,在表示能量高低的图上,用一条条高低不同的水平线表示电子的能级,此图称为电子能级图。能带(Enegy Band):晶体中大量的原子集合在一起,而且原子之间距离很近,以硅为例,每立方厘米的体积内有5×1022个原子,原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠,壳层交叠使电子不再局限于某个原子上,有可能转移到相邻原子的相似壳层上去,也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去,这种现象称为电子的共有化。从而使本来处于同一能量状态的电子产生微小的能量差异,与此相对应的能级扩展为能带。禁带(Forbidden Band):允许被电子占据的能带称为允许带,允许带之间的范围是不允许电子占据的,此范围称为禁带。原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满,然后再占据能量更高的外面一层的允许带。被电子占满的允许带称为满带,每一个能级上都没有电子的能带称为空带。价带(Valence Band):原子中最外层的电子称为价电子,与价电带。导带(Conduction Band):价带以上能量最低的允许带称为导带。导带的底能级表示为Ec,价带的顶能级表示为Ev,Ec与Ev之间的能量间隔为禁带Eg。导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动(形成电流)来实现的,这种电流的载体称为载流子。导体中的载流子是自由电子,半导体中的载流子则是带负电的电子和带正电的空穴。对于不同的材料,禁带宽度不同,导带中电子的数目也不同,从而有不同的导电性。例如,绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV,导带中电子极少,所以导电性不好,电阻率大于1012Ω·cm。半导体Si的Eg约为1.1eV,导带中有一定数目的电子,从而有一定的导电性,电阻率为10-3—1012Ω·cm。金属的导带与价带有一定程度的重合,Eg=0,价电子可以在金属中自由运动,所以导电性好,电阻率为10-6—10-

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