微机原理 第六章 半导体存储器、内存储器及其管理.pptVIP

微机原理第六章半导体存储器、内存储器及其管理 主 要 内 容 一、有关存储器的基础知识 二、内存储器的扩展设计技术（P275） 存储器分级结构 存储器分级结构 存储器子系统分为四级 寄存器组 高速缓存 内部存储器 外部存储器（包含磁盘Cache、磁盘存储器、磁带和光盘存储设备） 存储器的分级体系结构（P243） 简单的二级结构（P244）： 主 存 ＋ 辅 存 完整的四级结构（P244） ： 寄存器 ＋ Cache ＋ 主存 ＋ 辅存 Cache技术（P285）和虚拟存储器技术（P286） 相同点： 以存储器访问的局部性为基础； 采用的调度策略类似； 对用户都是透明的； 存储器分级 特点 存取速度依次递减 容量则依次增加 仅内部存储器占用微处理器的地址空间 通常有二级Cache，微处理器与第二级Cache之间采用独立的Cache总线 主存或内存，用于存放运行的程序和数据 外部存储器，即微机系统的磁带、软磁盘、硬磁盘、光盘等 存储器分类 按存储介质，可分为半导体存储器、磁介质存储器和光存储器 按照存储器与CPU的耦合程度，可分为内存和外存 按存储器的读写功能，分为读写存储器（RWM：Read/Write Memory）和只读存储器（ROM：Read Only Memory) 存储器分类 按掉电后存储的信息可否保持，分为易失性（挥发性）存储器和非易失性（不挥发）存储器 按照数据存取的随机性，分为随机存取存储器、顺序存取存储器（如磁带存储器）和直接存取存储器（如磁盘 ） 按照访问的串行/并行存取特性，分为并行存取存储器和串行存取存储器 存储器分类 按照半导体存储器的信息存储方法，分为静态存储器和动态存储器 按存储器的功能，分为系统存储器、显示存储器、控制存储器 一般把易失性半导体存储器统称为RAM，把非易失性半导体存储器都称为ROM 半导体存储器的分类 存储器的分类及选用（P245） 按 存 储 介 质 分 类 存储器的技术指标（247） 存储容量 存取速度 体积和功耗 可靠性 只读存储器ROM 掩膜ROM的内容 浮栅 MOS EPROM存储电路 FLASH特点 按Sector、Page或Block组织：可整片擦除，也可按字节、区块或页面的擦除和编程操作; 可快速页写：CPU将页数据按芯片存取速度（一般为几十到200ns）写入页缓存；再在内部逻辑的控制下，将整页数据写入相应页面; 具有内部编程控制逻辑：CPU可以通过读出验证或状态查询获知编程是否结束; 在线系统编程能力：擦除和写入都无需把芯片取下; FLASH特点 具有软件和硬件保护能力：可以防止有用数据被破坏; 内部设有命令寄存器和状态寄存器; 采用命令方式可以使闪存进入各种不同的工作状态，例如整片擦除、页面擦除、整片编程、字节编程、分页编程、进入保护方式、读识别码等; 内部可以自行产生编程电压（VPP），所以只用VCC供电. FLASH内部结构框图 存储器比较 内存储器的基本结构（P248） RAM芯片中的基本存储单元 RAM芯片的组成和结构（P248） 内存储器的基本结构 静态RAM的六管基本存储单元（P264） 集成度低，但速度快，价格高，常用做Cache。 动态RAM的单管基本存储单元（P270） 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 典型的SRAM内部示意图 RAM芯片的组成与结构（一） 该RAM芯片外部共有地址线 L 根，数据线 N 根； 该类芯片内部采用单译码（字译码）方式，基本存储单元排列成M*N的长方矩阵，且有M=2L的关系成立； RAM芯片的组成与结构（二）（P265） 该RAM芯片外部共有地址线 2n 根，数据线 1 根； 该类芯片内部一般采用双译码（复合译码）方式，基本存储单元排列成N*N 的正方矩阵，且有M =22n =N2 的关系成立； 内存储器的基本结构 存 储 芯 片 的 位 扩 展 存 储 芯 片 的 字 扩 展 存储芯片的字、位同时扩展 用16K×4bit的芯片扩展实现64KB存储器 内存储器的扩展设计（P275） 分配地址空间 选择存储芯片 存储芯片内连 与主机（CPU）接口 内 存 地 址 空 间 的 分 配 在PC机中，大部分存储区域已被系统使用或被系统保留，用户扩展存储器可选择的地址范围一般落在0C0000H ~ 0DFFFFH范围内。当然，实际设计时，还需要考虑系统的具体配置，以及是否需要设置选择开关来在改变扩展存储器的地址范围。