晶振材料研究报告.pptVIP

報 告 人：戚麗華 負責單位：BB SQE 指導老師：邱逢舒 小組成員：宇世傳 戚麗華 發表時間：2007年9月25日 一.晶振基本理論及其材料相關介紹 1.晶振基本應用原理 2.晶體的震盪原理 3.晶體的切割 1.晶振基本應用原理—定義 晶振是晶体振荡器的简称，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。如圖所示. 2.晶體的震盪原理—晶體振蕩原理 ??????石英晶片本身為一壓電材料（Piezoelectric Material）,若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。 TEMPERATURE CHARACTERISTICS 溫度特性為何? 二.晶振分類‵結構及流程介紹 1.晶振的分類 2.晶振的結構 3.晶振的流程介紹 晶體諧振器根据其外型结构不同可分为HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S· SMD、UM-1、UM-5及柱状晶體等。HC-49U适用于具有宽阔空间的电子产品如通信设备、電視機、电话机、电子玩具中。HC-49U/S适用于空间高度受到限制的各类薄型、小型电子设备及产品中。 三.晶振的主要參數及其失效分析 1.晶振主要參數介紹 2.影響FL的分析及案例 3.影響C0的分析及案例 4.影響RR的分析及案例 將晶振RR SPEC由Max 40OHM變到20OHM改善前後的不良率如下: 四、晶振材料研究成果應用 老化24h的產品2.5k,再次老化24h後,再次過reflow,卡下7pcs不良品 0.33 1.42 6.50 -19.26 4.80 6.54 8.71 -13.81 0.45 7.34 26.80 -50.73 1.18 1.40 20.88 -83.82 2.81 3.34 11.89 -41.02 1.27 3.74 10 ppm FDLD 4.94 5.68 10 Ohms DLD2 9.46 16.22 20 Ohms RR -12.93 -34.01 (內規-12)-15 (內規12)15 ppm FL Aging后F/T Rflow后F/T Low Limit High Limit Crystal 2.5K直接老化48H後,過reflow,無不良打下 2.影響FL的分析及案例—老化 2.影響FL的分析及案例—老化 ARRIS TM502機種使用晶振老化由24H變到48H改善前後的不良率如下: 並聯電容(C0):靜態電容 3.影響C0的分析及案例—C0 3.影響C0的分析及案例—防摔案例 對A組包裝外不加氣泡袋做保護與B組包裝外加氣泡袋做 保護兩種方式做陶瓷地板落下實驗,數據如下: 通過數據可以看出有氣泡袋保護的變化率明顯小於無氣泡袋保護的包裝方式 3.影響C0的分析及案例—防摔案例 改善前後的晶振破片不良率如下: 4.影響RR的分析及案例— RR 等效電阻(RR):等效串聯阻抗 (C)與SA量測單體在ONBOARD時無波形,不起振 (B) 與SA量測IC INPUT / OUTPUT腳P-P (V): 晶振RR SPEC更改之前狀況 (A)單體測試報告:(SA 250B) 備註:單體量測OK,但onboard測試為不起振,現象為七燈恆亮 4.影響RR的分析及案例— RR案例 4.影響RR的分析及案例— RR 晶振破片產線管控修訂 供應廠最小包裝增加氣泡袋. 產線備料晶振點數料盤增加泡棉墊。 產線料件上線到料盒增加泡棉墊。 晶振FA分析流程制定 * Form No:MQ-M156-04 Rev.01 Form No:MQ-M156-04 Rev.01 引言 Consumer Electronics 如電視機,收音機, 各類影音設備 Computer 如電腦,列表機 網路卡,藍芽產品… Communication 如手機,無線電, 機地台,衛星… 未來科技 如光纖,數位電視 航太科技… 晶振用途 報告大綱 一.晶振基本理論及其材料相關介紹 二.晶振分類‵結構及流程介紹 四.晶振材料研究成果應用 三.晶振的主要參數及其失效分析 L1 R1 C1 CO CL Fs FL 何謂串聯諧振(Fs)及並聯諧振( FL) 所有的晶體都有串聯諧振頻率(Fs,此時晶體的阻抗為最小) 若將此串聯一個負載電容(CL)則晶體的振盪頻率將會微幅的 上升,此頻稱之為並聯諧振頻率或負載頻率(FL). 1.晶振基本應用原理—優點 1. 穩定性佳,變化小 2