PN结的形成与单向导电性.pptVIP

1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某种特定的杂质，成为杂质半导体。 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，则形成P型半导体 当P型半导体和N型半导体结合在一起时，将会出现什么样的现象呢？ =1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结及其单向导电性 电子和空穴扩散运动的结果，在交界面两侧形成一个由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，这就是PN结。 2. PN结的单向导电性 (1) PN结外加正向电压 正向接法时，外电场的方向与PN结中内电场的方向相反，削弱了内电场，空间电荷区的宽度变窄，有利于多数载流子的扩散运动，形成一个较大的正向电流。 2、PN结外加反向电压 反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强内电场的作用，空间电荷区的宽度变宽，不利于多子的扩散运动。在回路中形成一个由少数载流子漂移运动产生的反向电流，反向电流的数值非常小，称为反向饱和电流。 结论：当PN结处于正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中的反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。这就是PN结的单向导电性。 PN结具有单向导电性：正向偏置时， PN结导通；反向偏置时， PN结截止。 * * 1、Ｎ型半导体 如果在硅或锗的晶体中掺入少量的５价杂质元素，则形成Ｎ型半导体。 (其中的５价杂质原子称为施主原子) 2．Ｐ型半导体 （其中的3价杂质原子称为受主原子） 在P型半导体和N型半导体的交界面两侧，由于电子和空穴的浓度相差悬殊，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也向N区扩散。 1. PN结中载流子的运动（PN结的形成） 电源的正极接P区，电源的负极接Ｎ区，称为正向偏置（简称正偏） 电源的正极接N区，负极接P区，称为反向偏置（简称反偏）