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5 嵌入式最小系统设计 138 5.1 电源、晶振及复位电路 138 5.1.1 电源电路 138 5.1.2 晶振电路 138 5.1.3 复位电路 139 5.2 存储器接口 139 5.2.1 存储器概述 139 5.2.2 存储器接口电路 140 5.2.3 存储器应用示例 145 5.3 中断接口 150 5.3.1 中断概述 150 5.3.2 控制中断的寄存器 151 5.3.3 外部中断的应用示例 152 5.4 JTAG接口 154 5.4.1 JTAG概述 154 5.4.2 ARM的JTAG调试结构 155 5.4.3 ARM7TDMI内核的JTAG扫描链结构 155 5.4.4 JTAG接口电路 156 5 嵌入式最小系统设计 5.1 电源、晶振及复位电路 图5.1 系统的电源电路 有很多DC-DC转换器可完成5V到3.3V的转换，较常用的有Linear Technology的LT108X系列等。常见的型号有：LT1083、LT1084、LT1085、；LT1086等。设计者可根据系统的实际功耗，选择不同的器件。 5.1.2 晶振电路 CPU及其他电路提供工作时钟。在最小系统中，S3C4510B使用有源晶振。与无源晶振相比，有源晶振的接法略有不同。常用的有源晶振的接法如图5.2所示。 图5.2 系统的晶振电路 根据S3C4510B的最高工作频率以及PLL电路的工作方式，选择10MHz的有源晶振。10MHz的晶振频率经过S3C4510B片内的PLL电路倍频后，最高可以达到50MHz。片内的PLL电路兼有频率放大和信号提纯的功能，因此，系统可以以较低的外部时钟信号获得较高的工作频率，以降低因高速开关时钟所造成的高频噪声。 有源晶振的1脚接5V电源，2脚悬空，3脚接地，4脚为晶振的输出，可通过一个小电阻（例如22Ω）接S3C4510B的XCLK引脚。 5.1.3 复位电路RC电路构成，也可使用其他的相对较复杂，但功能更完善的电路。 RC复位电路结构简单，复位逻辑可靠，使用较为广泛。其电路如图5.3所示。 图5.3 系统的复位电路 该复位电路的工作原理如下：系统上电时，通过电阻R1向电容C1充电，当C1两端的电压未达到高电平的门限电压时，Reset端输出为低电平，系统处于复位状态；当C1两端的电压达到高电平的门限电压时，Reset端输出为高电平，系统进入正常工作状态。 当用户按下按钮S1时，C1两端的电荷被泄放掉，Reset端输出为低电平，系统进入复位状态，再重复以上的充电过程，系统进入正常工作状态。 两级非门电路用于按钮去抖动和波形整形；nReset端的输出状态与Reset端相反，是用于高电平复位的器件；通过调整R1和C1的参数，可调整复位状态的持续时间。 5.2 存储器接口 5.2.1存储器概述 nWE在时钟上升沿的状态决定具体操作动作，地址线和BANK选择控制线在部分操作动作中作为辅助参数输入。由于特殊的存储结构，SDRAM操作指令比较多，不像SRAM一样只有简单的读/写。 SDRAM不需要通过编程来实现它们所需的接口时序，而只须对与存储器控制器相关的寄存器进行适当配置。这个配置工作一般在启动代码中完成，系统在每次上电后但还未开始执行C语言程序之前，配置好SDRAM的特性参数，然后再进入C程序运行。 如何将系统运行的数据区定位在SDRAM的地址范围内？这个工作通过设置链接器的工作参数来完成。在S3C4510B中，SDRAM映射在Flash之后，进入ADS1.2的链接器设置对话框，在对话框的Read-Write文本框中输入数据区的基地址，即SDRAM的基地址，则数据区就定位在了SDRAM空间内。 定义堆栈区的栈顶地址也在启动代码中完成。处理器的每个工作模式有各自的堆栈，因此在启动代码中，需要为每种工作模式分配必要的堆栈空间，并将栈顶地址赋给堆栈指针。 此后，不需要通过任何特殊的程序或语句来操作SDRAM，处理器将自动产生读写，刷新SDRAM的时序。 5.2.2 存储器接口电路 Flash存储器是一种可在进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在系统中得到了广泛的应用。Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。常用的Flash为8位或16位的数据宽度，编程电压为单3.3V。主要的生产厂商为ATMEL、AMD、HYUNDAI等，不同厂商生产的同型器件一般具有相同的电气特性和封装形式，可通用。 下面以Flash存储器HY29LV160为例，简要描述一下Flash存储器的基本特性。 HY29LV160的单片存储容量为16M位（2M字节），