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第四章 研光原理 第四章 研光原理 4.1 切削、研磨加工與研光、拋光加工的不同 4.2 研光加工原理與加工方式 4.3 金屬材料的研光 4.4 非金屬材料(硬脆材料)的研光 4.1 切削、研磨加工與研光、拋光加工的不同 對於切削加工(第2章)與研磨加工(第3章)，為刀具進刀後加工運動控制方式的加工方法。 研光加工與拋光加工，是將刀具以所定壓力，壓在工作物上(研光、拋光)加工，為壓力控制方式的加工方法。 4.1 切削、研磨加工與研光、拋光加工的不同 切削、研磨加工與研光、拋光，任何一種都是以固體的硬質刀具，壓著削除的機械式加工方法，故以一定進刀來加工，以一定壓力來加工，並沒有什麼很大的不同。 運動控制與壓力控制，在原理上是完全不同的加工方式，裝置構成或操作方法、加工特性，也有很大的不同。圖4.1為兩者特徵的比較。 4.1 切削、研磨加工與研光、拋光加工的不同 具體來說，我們都很清楚使用游離磨粒，做研光、拋光外，使用磨輪的搪光、超精加工等，為壓力控制方式的加工方法。 近年來，半導體元件、光學零件、磁記錄零件等，相對於機電整合相關的高機能材料，超精密加工的需求，正飛躍式的在增加中。這些零件基本上大多使用研光、拋光。 圖4.1 運動控制方式與壓力控制方式的特徵比較 4.2 研光加工原理與加工方式 4.2.1 研光加工原理 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 4.2.1 研光加工原理 研光及拋光都是經由磨粒，在一定的壓力下，利用刀具與加工物的相對運動，以轉印刀具形狀的加工方法。 雖然涵蓋於研磨加工中，但是基本上如表4.1所示的意義與區分，是很容易了解的。 表4.1 研光與拋光的基本特徵 4.2.1 研光加工原理 研光為使用數微米以上的粗磨粒、金屬或陶瓷等硬質刀具(稱為研光機)，迅速接近所定的形狀、尺寸的工程。 拋光的定位是在降低研光或研磨加工後的表面粗糙度或平滑化的同時，致力於減少加工變質層，完全去除的工程。 表4.2所示，為經過整理後的研光與拋光要因。兩者均使用同樣的裝置，一般是進行平面、球面、非球面形狀的單面加工，或兩面同時加工。 表4.2 研光與拋光要因 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 表4.3所示，為用於研光、拋光的磨粒。氧化鋁、碳化矽、碳化棚等，常做為研光用磨粒。 表4.4所示範例，為研光及拋光使用的材質及其使用對象。 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 研光所要求的條件有： (1)磨粒保持能力高 (2)磨耗少，可長期維持形狀精度 (3)由於負荷或自重造成的變形小 (4)材質均勻，沒有硬度不均的情形 (5)沒有因擦痕等產生傷痕原因之缺陷或不純物。 具體來說，它大多用在硬質金屬(鑄鐵或鋼)或無機材料(陶瓷或玻璃)。 表4.3 研光、拋光使用的磨粒 表4.4 研光材料及拋光材料 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 表4.5所示，為研光裝置的各種方式。 最基本且最廣泛使用的為圖4.2所示的修正輪式單面研光裝置。將工作物的一面，以一定的負荷施壓於旋轉的圓盤狀研光機上，工作物本身也跟著旋轉，全體運動跡軌機隨式，以使加工表面的去除量均勻。 表4.5 研光機的種類與用途 圖4.2 修正輪式單面研光方式 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 在研光平行平面的薄板，像矽晶片或玻璃基板等，如圖4.3所示，是使用兩面研光機。 是將工作物置於稱為載體的夾具上，其厚度比工作物稍薄，再使上下研光機做相對運動，而研光平行面的方式。因兩面可均勻加工，故對上下研光機的相對速度、工作物旋轉軌跡、供給研磨液的方法，必須選擇最適當的條件。 圖4.3 研光機的構成要素與動作 4.2.2 研光用磨粒、工具、加工設備 而在切斷薄板方面，是使用與平面研光相同的機構，供給游離磨粒來加工的研光切斷法。圖4.4所示，為多切割刀片與多線割刀具概略圖。 在這些方式當中，薄的高張力鋼片及細直徑線，擔任了研光的角色。在 8英吋(2OOmm)以上的大口徑矽晶片製造工程，一般是使用多線切割刀具，來加工單結晶晶塊。 圖4.4 研光方式切斷裝置例 圖4.4 研光方式切斷裝置例 4.3 金屬材料的研光 金屬材料如在切削加工或研磨加工所敘述的基本上是以塑性變形為基礎，以變形破壞機構來加工的。 即使在研光中，也是以保持在研光機的磨粒前端，壓入加工物表面，以加工物移動的距離，切出溝槽來。 實際上如圖4.5所示，即使磨出溝槽來，但是在金屬材料的情況，絕對不是就這樣去除，而大多情形只是在兩邊有隆起的材料移動。磨出的溝槽會相互重疊並干涉。 圖4.5 壓入磨粒的去除模組 圖4.6 工具鋼的研光特性例子 圖4.6 工具鋼的研光特性例子 圖4.7 磨粒大小與金屬材料的研光量關係 表4.6 塊規研光的精加工尺寸與表面粗糙度 圖4.8 塊規的精度定義 4.3 金屬