第1章半导基础知识.pptVIP

三、本征半导体中的两种载流子 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 四、本征半导体中的载流子浓度 杂质半导体 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素, 得到杂质半导体。 应注意： 不论是N型半导体还是P型半导体，虽然都有一种载流子占多数，但整个晶体仍然是不带电的。 3.漂移运动：在电场力的作用下，载流子的运动 —少子的运动方式 动态平衡 扩散电流 ＝ 漂移电流 正向偏置：PN结的P区接外电源的正极，N区接外电源的负极称为“正向连接”，也叫做“正向偏置”。 PN结单向导电性的特点 正向导通、反向截止； 正向电阻小、反向电阻大； 反向电流小、正向电流大； 正向电流是多子的扩散电流，与外加电压有关，电压越高，电流越大； 反向电流是少子的漂移电流，称为：反向饱和电流。与外加电压无关，与激发有关。 1.2 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 2. 二极管的等效电路 例1.2.1 1.2.4 二极管的应用 整流电路 限幅电路 1.3 特殊用途的三极管 稳压管 发光二极管 光电二极管 图1.2.11 稳压管稳压电路 1.3.3 光电二极管 利用PN结的光敏特性，把光信号转换成电信号的光电传感器件 也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性 [例1.2.1]已知uI = Umsin ωt ，画出uO和uD的波形 VD R + - + - uI uO + - uD iO Um ωt uo O ωt uD O uI＞0 时二极管导通， uO = uI uD = 0 uI ＜0 时二极管截止， uD = uI uO = 0 -Um io Um ωt uI O 1.整流电路 [例1.2.2]已知uI = Umsin ωt ，画出uO的波形 VD R + - + - uI uO + - uD iO Um ωt uo O ωt uD O -Um io Um ωt uI O 2.限幅电路 一、伏安特性 符号 工作条件：反向击穿，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性。 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 特性 1.3.1 稳压二极管 等效电路 二、主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向击穿电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 几 ? ? 几十 ? 5. 稳定电压温度系数 α：温度每变化1℃稳压值得变化量。 一般， UZ 4 V， α 0 (为齐纳击穿)具有负温度系数； UZ 7 V， α 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数； 4 V UZ 7 V， α很小。 [例1.2.2] 在图1.2.11所示稳压管稳压电路中，已知 稳压管的稳定电压Uz=6V，最小稳定电流Izm=5mA，最大 稳定电流IZmax=25mA；负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻 R的取值范围。 限流电阻? 解：从图1.2.11所示电路可知，R上电流IR等于稳压管中 电流IDZ 和负载电流IL之和，即 : IDZ=5~20mA 限流电阻R的取值范围为114～227Ω。 1.3.2 发光二极管二极管 发光二极管 LED (Light Emitting Diode) 1. 符号和特性 工作条件：正向偏置 一般工作电流几十 mA， 导通电压 (1 ? 2) V红色的在1.6～1.8V之间， 绿色的约为2V。 符号 u /V i /mA O 2 特性 发光类型： 可见光：红、黄、绿 显示类型： 普通 LED ， 不可见光：红外光 点阵 LED 七段 LED , 模 拟 电 子 技 术 基 础 0 f(t) t 数字量和模拟量 模拟量： 在时间和幅度上都是连续变化的物理量，在一定动态范围内可取任意值。 模拟信号：表示模拟量的信号。 模拟电路：工作在模拟信号下的电路。 数字量和模拟量 数字量： 在时间和数量上都是离散变化的物理量。 0 f(t) t t1 t3 t5 t2 t4 ... 时间离散，数量离散； 数字信号：用来表示数字量的信号。 特点： 物理量的数值大小和每次的增减量变化都是某一个最小数量单位△的整数倍。 数字电路：工作在数字信号下的电路。 模拟电路与数字电路