电磁学重要公式推导.docVIP

1-8 一电偶极子，点至偶极子中心的距离为，与的夹角为。设，求点的电场强度在方向上的分量和垂直于方向上的分量。 第一种解法 时，可近似认为： 通分得： 通分得： 第2种解法： ★ 1-10 电四极子，由两个相反的电偶极子组成，偶极子在一条直线上，但方向相反，其负电荷重合在一起。证明在延长线上距中心为处： 场强为： 电势为： 其中称之为此电四极子的电四极矩 时，可近似认为： 时，可近似认为： 1-11 电四极子，点到中心的距离为，，与正方形的一对边平行。求点的电场强度。 电四极子可以看作两个电偶极子的组合。 建立直角坐标系，水平向右为轴正方向，竖直向上为轴正方向。 电偶极子在其垂直平分线上的为： 通分后得： 1-12 两条平行的无限长均匀带电细线，相距为，电荷线密度分别为。 细线所在平面上的场强分布； 细线单位长度上所受的相互吸引力。 无限长带电细线在距其垂直距离为处的场强为： 建立直角坐标系，轴垂直于细线。 假设处于坐标原点处的细线线电荷密度为，坐标为处细线线电荷密度为。 细线1在细线2处产生的电场强度为，则细线2单位长度所受力为： 同理细线1所受力为：★ 1-13 均匀电场与半径为的半球面轴线平行，计算通过此半球面的电通量。 第一种方法 采取球坐标 第二种方法 1-16 半径为的无穷长直圆筒面上均匀带电，沿轴线单位长度上电量为。求场强分布。 选择与带电圆筒同轴的圆筒形闭合曲面作为高斯面。 高斯面圆筒高为，半径为。 分别为：，。 利用对称性讨论在高斯面上的电通量（高斯定理）。 1-19 三个无限大的带电平面都均匀带电，电荷面密度分别为、、，讨论空间各处场强。 设垂直于带电平面向右方向作为轴正方向。 三个无限大的带电平面将空间分割为4个空间。 无限大带电平面激发的场为匀强场 利用场叠加原理： 同理可得： 1-20 一厚度为的无限大平板，平板体内均匀带电，电荷体密度为。讨论办内外电场情况。 第一种解法 作轴线沿方向的圆筒为高斯面。圆筒关于平板轴线左右对称。 圆面面积为，圆筒长为。 从对称性角度出发，讨论闭合曲面上的高斯定理。 分为两种情况讨论：、 第二种解法 在内部可看作两个面电荷密度分别为和的无限大平面。 ， 在外部看作一个无限大的带电平面，面电荷密度为 1-25 半径为的均匀带电圆环，电荷总量为（）。 轴线上离环中心为处的场强； 轴线上电势分布。 1-26 半径为的均匀带电圆面，电荷面密度为。 轴线上离环中心为处的场强；讨论轴线上电势分布。 当不变，、时为何情况，总电荷不变时情况如何； 当不变: 当不变: 利用洛必达法则，上下同时求导： 1-37 一对无限长的共轴圆筒，半径分别为、，圆筒均均匀带电。沿轴线单位长度电量分别为、。 讨论场分布情况；若，情况如何？ 两筒间电势差以及筒间电势分布情况。 利用场叠加原理可得： 若 设外层圆筒表面处电位为零， ，若则 1-38 半径为的无限长圆柱体内均匀带电，电荷体密度为。 场强分布； 以轴线为电势零点求电势分布。 选择与带电圆柱同轴的圆筒形闭合曲面作为高斯面。 高斯面圆筒高为，半径为。 分别为：，。 利用对称性讨论在高斯面上的电通量（高斯定理）。 高斯面内包含的电荷量为： 1-39 设气体放电形成的等离子体柱内的体电荷分布可用下式表示： ，其中是到轴线的距离，为轴线上的体电荷密度，为常量。 求场强的分布； 以轴线为电位零点电势的分布。 根据对称性，距轴线为处的大小都相等，方向均垂直于轴线并由轴线向外。利用高斯定理，选择一个高为，半径为的同轴圆筒作高斯面。 高斯面内的电荷量为： 1-45 平行板电容器充电后，，两极板上电荷的面密度分别为，。设为两极板间任意位置，略去边缘效应（极板视作无限大）。 板上的电荷在点产生的电场强度； 板上的电荷在点产生的电场强度； 两极板上的电荷在点产生的电场强度； 若将板拿走，板上的电荷将如何分布？在点产生的电场强度？ 选向右方向为轴正方向。 两平行导体板称之为电容器，意味着其中一个导体板是接地的。 ，两极板外侧上电荷为零。 板内侧上的电荷在点产生的电场，相当于一个面电荷密度为无限大的带电平面在点产生的电场 同理： 若仅剩板，则板上的电荷在两面均匀分布，面电荷密度为，在点产生的电场为 1-51 点电荷处于导体球壳的中心，壳的内外半径分别为，。 电场和电势的分布；球壳的电势； 球壳内离球心为处的电势