EMI小常识.pptVIP

基本原理 电路中的di/dt和dv/dt过大，是造成EMI不良的一个主要原因。适当的降低di/dt和dv/dt，即可以在一定程度上改善EMI。 基于上叙原理，我们一共找到了三种改善EMI的有效办法。 一. MOS管的S极加BEAD抑制EMI 原理 图示: 原理: BEAD相当于电感,电感特性为通过电感的电流不能突变,即 另Vd为动态工作点电压.当没有加BEAD时,Vd的变化造成通过MOSFET的等效电容Cds到地的瞬变电流di/dt较大,EMI辐射较大;当在MOSFET 的S极加BEAD时,可知 di/dt变小,则EMI辐射变小. 二.高压端加瓷片电容抑制EMI 原理 图示: 原理: 电容的基本特性:电容两端的电压不能突变 容抗为： 此电容C3在BEAD1饱和状态下效果才比较明显：当BEAD1饱和时,它相当一颗无感线圈,无法抑制掉由电流源传来的高频信号.而当对于高频信号,C3电容的容抗很小, 高频信号通过C3旁路到地,不让输出.EMI变好. 改进方案 在这里有一个改进方案:把电容改加在Bead之后,高频信号不必再经过Bead,可直接通过此电容到地,以降低EMI辐射.这样一来,Bead有可能可以去掉(待验证). 三.加大MOS 关断电阻抑制EMI 原理 图示: 原理: 针对以上图示,可看出MOSFET的DS极的电容Cds为变压器的层间电容,初级Clamping电路的电容之等效电容.由于MOSFET还存在时变的导通阻抗Rds(t),即组成如下等效电路: 等效电路 分析MOSFET的关闭过程：驱动电阻Rgs加大后,MOS管的Ciss放电时间将变长, 即延长了Rds的分流作用时间（即di/dt变小);由电流源传来的电流是一定的,从Rds上流过的电流增多,导致Cds的充电电流变小,充电时间变长,此时Vd电压建立的上升斜率(dv/dt)变小.EMI变好.如下图所示: Igs与Vds之波形 虚线为加大Rgs之波形 修改前Vds之实测波形 Rg1=300R,Rg2=75R,Dg1=13335 修改后Vds之实测波形 Rg1=390R,Rg2=0R,Dg1=NC THE END * 亞源科技楊明制品廠 ASIAN POWER DEVICES INC. 内容提要: 一. MOS管的S极加BEAD抑制EMI 原理 二.高压端加瓷片电容抑制EMI 原理 三.加大MOS 关断电阻抑制EMI 原理