碳化硅表面热增长方式形成氧化硅薄膜的限制性步奏.docVIP

氧化硅在碳化硅表面热成膜的限制性步骤 研究显示，在氧气中，碳化硅表面造氧化硅膜时主要采用氧同位素替代和窄范围的核磁共振分析。同时，在关于如何在硅的表面形成氧化硅薄膜的研究也在进行。结果表明，限制性步骤反应在这两种形式结合的半导体中有非常不同的表现。在Si半导体中，其扩散将会减缓，在碳化硅半导体中，其灵敏性将会收到影响。这样的话，我们可以得出，在反应的借口区域，以碳化硅为基体的成膜反应（动力学）将会十分敏感。而这些界面区域的成分与结构的变化将会导致上述材料的电气性能改变。--------------摘要部分 在半导体材料设备的适用过程中往往伴随着高能，高频率，高电压，有时甚至是高温。这样，硅的利用就挚肘于其物理性能。最经典的一个例子就是，高温下相对来说较的窄能带将会阻碍硅设备的运行。极性的 碳化硅是宽能带的最佳选择，因为虽然有能带更宽的碳化硅。但是他们有别的一些特性需求，比如说高的热导率、击穿电压和饱和电子漂移速度。基于氧化薄膜性能(包括电机)参允许预测和控制氧化遵循在氧化物原子氧运输热的增长6H-SiC和Si (001)晶片首先在自然的氧气（湿度条件为水小于一个ppm，氧气原子是原子量为16）中进行了不同的连续性氧化过程。然后将其放置于氧气富集度高并且在静压条件下进行氧化。在核反应的共振区域，其电压约为151kv，在这个条件下的到的样品和模型是采用了用以提取O18的SPEAC CODE。以上是对于在表面发现的厚度为0.7nm的深度分析。 接下来我们把一批碳化硅的样品置于仅有016同位素的氧气中16O2 (45 h, 1100 _C, 100 mbar)。 然后在HF溶液中进行腐蚀分析，此时各个样品腐蚀 的时间都不同，从一s到三十s，然后把他们全都置于氧18(1 h, 1100 _C, 100 mbar).中进行氧化。这么做的目的就是为了得到不同厚度的氧化硅薄膜（氧16），它的氧化物种类在第二步的氧18氧化过程中会发生改变。但是在二氧化硅（氧16）/硅的界面处会形成新的氧化物种类，这是因为HF仅仅是影响外部的界面。以上提到的一秒钟 的腐蚀作用是为了确保每个样品的二氧化硅和空气接触的那个表面都是一致的。与此同时呢，硅晶片在氧16中进行氧化（8小时，110摄氏度，100mbar）. ，各个样品在HF中腐蚀了不同的时间，然后在在氧18中进行氧化（1小时。1100摄氏度，100mbar）。氧18 的作用是在一个Fig中得以显示的。在反应中用于形成一层包裹物。而HF的腐蚀数据表明氧16的二氧化硅在界面处有一个较高的厚度指数。氧18富集的区域是在于表面和氧化物与半导体的界面区域。最后我们得出这样的数据。在碳化硅表面形成的厚度为52.65.76..86nm。在硅的表面厚度是16.134.140.166nm。 如果对硅和氧化硅的结果进行比对的话我们就显而易见的可以知道。 分析同位素追踪的实验，我们发现氧18集中在界面区域的数量大致类似于碳化硅样品。（950加减30每个单位面积）。在硅的腐蚀时间延长后增加至至3660.4300.6250..6950每个单位面积。 从实验结果可以看出在碳化硅的表面形成的氧18的富集程度是低于同样条件下硅表面的含量的。 这些结果在比表面落差和界面顶点的时候尤明显。只有在反应向最薄的区域进行时，才会得到FIG。 FIG。实验的分析结果151ekv的核反应曲线区域，我们可以知道氧化硅薄膜的热增长发生在碳化硅的顶部，和硅的底部区域。有象征性意义的是上部二氧化硅碳化硅样品腐蚀1s.10s.20s.30s而在底部有象征性意义的是二氧化硅硅样品腐蚀1s.3s.40s.70s..界面的顶端区域在上述的曲线得到了体现。 我们用腐蚀了30s的那组样品进行分析，不同的厚度在不同的单元格里得到了体现，氧18的分布也在各自的插图中进行了交代。而在碳化硅表面的氧化物是以他的模拟形式进行体现的因为原则上我们要在另外一个例子里去解释这个实验现象。但是这些实验曲线各自显示出了相似点，他们都是从样品深处的地方开始的。分析结果时就可以利用曲线进行。 实验表明在硅表面热增长的限制性是由于存在于二氧化硅的氧化物种类的不同。对于更厚的氧16膜来说，氧18在界面的含量是很小的。相反的在碳化硅体系中，氧化物的热增长反应是被界面处氧化物种类来限制的。因为新形成的膜氧18 的含量不会受到氧化物薄膜厚度的影响，因为之前的情况下氧18必须首先穿过二氧化硅（氧18）层。因为氧16的氧化物条件对于所有的样品来说都是类似的。所以他们都有非常类似的界面。在硅样品中氧气穿过氧化物以后到达硅和氧化物的突出界面，然后他们反应生成新的含氧18的新氧化物。这都是合乎计划的。另一方面碳化硅的行为可以解释为氧化物的热增长模式，在这种模式下呢，氧化类型影响了氧化物和硅的界面而且这个界面是没有